公开(公告)号：CN101480111A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780023692.X

申请日：2007-06-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野孝纪 ,  三宫仁

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04 ,  C23C16/503

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 在相同的等离子体反应腔室(101)中进行至少两个等离子体处理步骤的情况下，按照每个步骤中等离子体处理所需的电源选择CW交流电源或脉冲调制交流电源。因此，即使在等离子体处理条件由于装置构造而受到限制的步骤中，也可以进行更多种的等离子体处理。而且，通过使用脉冲调制的交流电源，均匀的等离子体可以在电极之间产生，并且提供在电极之间的功率可以减小。由于可以减小等离子体处理速率，所以处理的质量控制变得容易。

公开(公告)号：CN102725822B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201080059933.8

申请日：2010-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 奈须野善之 ,  西村和仁 ,  中野孝纪

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0392

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种半导体膜及包括该半导体膜的光电转换装置，该半导体膜（2）形成在基板（1）的表面上且含有晶质，具有包括半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），该半导体膜（2）在周边缘区域（2a）的结晶化率大于中心区域（2b）的结晶化率。

公开(公告)号：CN102347402A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110215485.2

申请日：2007-06-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野孝纪 ,  三宫仁

IPC: H01L31/20 ,  C23C16/509 ,  C23C16/24 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32137 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091 ,  H01L31/076 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 在相同的等离子体反应腔室(101)中进行至少两个等离子体处理步骤的情况下，按照每个步骤中等离子体处理所需的电源选择CW交流电源或脉冲调制交流电源。因此，即使在等离子体处理条件由于装置构造而受到限制的步骤中，也可以进行更多种的等离子体处理。而且，通过使用脉冲调制的交流电源，均匀的等离子体可以在电极之间产生，并且提供在电极之间的功率可以减小。由于可以减小等离子体处理速率，所以处理的质量控制变得容易。

公开(公告)号：CN102959720B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180032232.X

申请日：2011-02-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村和仁 ,  奈须野善之 ,  中野孝纪

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/076 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的光电转换装置，其具有衬底（1）和设置在衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），pin型光电转换层（11、12）包括p型半导体层（3）、非晶半导体层即i型半导体层（4）、与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），第一pin型光电转换层（11）具有位于衬底（1）的一部分的表面上的第一部分和位于衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比第二部分的杂质元素的浓度高，第一部分的厚度比第二部分的厚度薄。

公开(公告)号：CN102959720A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180032232.X

申请日：2011-02-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村和仁 ,  奈须野善之 ,  中野孝纪

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的光电转换装置，其具有衬底（1）和设置在衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），pin型光电转换层（11、12）包括p型半导体层（3）、非晶半导体层即i型半导体层（4）、与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），第一pin型光电转换层（11）具有位于衬底（1）的一部分的表面上的第一部分和位于衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比第二部分的杂质元素的浓度高，第一部分的厚度比第二部分的厚度薄。

公开(公告)号：CN102725822A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080059933.8

申请日：2010-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 奈须野善之 ,  西村和仁 ,  中野孝纪

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种半导体膜及包括该半导体膜的光电转换装置，该半导体膜（2）形成在基板（1）的表面上且含有晶质，具有包括半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），该半导体膜（2）在周边缘区域（2a）的结晶化率大于中心区域（2b）的结晶化率。

公开(公告)号：CN102272939A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004207.6

申请日：2010-01-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 奈须野善之 ,  中野孝纪 ,  清水彰

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/044 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池组件，其具有基板、包含三个以上分别具有规定宽度的电池串的电池组件，各电池串具有宽度与该电池串相同且串联连接的多个太阳能电池，所述电池串在所述太阳能电池的串联连接方向上的长度相同，排列设置在所述基板上且并联连接，所述太阳能电池分别依次层叠形成有表面电极、光电转换层、背面电极，各电池串具有接触线，将所述太阳能电池中一方的表面电极与另一方的背面电极电连接，三个以上的所述电池串中位于两端的所述电池串的宽度小于其他所述电池串的宽度。