公开(公告)号：CN117219611A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310952022.7

申请日：2023-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢琳蓁 ,  蔡宗翰

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/48

Abstract: 本揭露描述一种半导体装置结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包含装置及设置在装置上方的第一介电层。气隙位于第一介电层中。结构进一步包含设置在第一介电层中的导电特征，且第一介电层包含设置在气隙与导电特征的第一侧之间的第一部分及邻近导电特征的与第一侧相对的第二侧设置的第二部分。第一部分具有第一氮浓度，且第二部分具有实质上小于第一氮浓度的第二氮浓度。

公开(公告)号：CN114464664A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110400179.X

申请日：2021-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 辛格·古尔巴格 ,  蔡宗翰 ,  许世禄 ,  庄坤苍

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/538 ,  H01L29/78 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置与其制造方法，半导体装置可包括一源极，此源极位于一栅极的一第一侧上。半导体装置可包括一漏极，此漏极位于栅极的一第二侧上，其中栅极的第二侧相对于栅极的第一侧。半导体装置可包括位于源极上方的一第一触点。半导体装置可包括位于漏极上方的一第二触点。半导体装置可包括位于栅极上方的一气隙，其中栅极位于至少第一触点与第二触点之间。半导体装置可包括至少两个介电材料，位于气隙与第一触点之间的一区域以及气隙与第二触点之间的一区域的各者中。

公开(公告)号：CN109427648B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201711220067.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗翰 ,  王柏仁 ,  吴春立 ,  高境鸿

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 提供半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括基板。此基板包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的一绝缘层。此半导体装置结构亦包括栅极堆叠，位于基板之上。此半导体装置结构更包括多个源极及漏极结构，位于基板的第二半导体层中。此些源极及漏极结构位于栅极堆叠的两侧。此外，此半导体装置结构包括第一隔离结构，位于基板中。此第一隔离结构包括绝缘材料且环绕源极及漏极结构。此半导体装置结构亦包括第二隔离结构，位于第一隔离结构中。此第二隔离结构包括金属材料且环绕源极及漏极结构。

公开(公告)号：CN106158891A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510765521.0

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  曾鸿辉 ,  王昭雄 ,  周俊豪 ,  蔡宗翰 ,  李国政 ,  许慈轩 ,  许永隆

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种背照式(BSI)图像传感器，包括具有平坦的下表面的介电栅格开口。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上方，并且限定介电栅格开口的平坦的下表面。本发明实施例涉及用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计。

公开(公告)号：CN103367290A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210395013.4

申请日：2012-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗翰 ,  郑宗期 ,  张岳青 ,  简荣亮 ,  黄宏达 ,  郑志成

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05087 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

Abstract: 一种接合焊盘结构包括衬底和在第一介电层中形成并且设置在衬底上方的第一导电岛状物。具有多个通孔的第一通孔阵列形成在第二介电层中并且设置在第一导电岛状物上方。第二导电岛状物形成在第三介电层中并且设置在第一通孔阵列上方。接合焊盘设置在第二导电岛状物上方。第一导电岛状物、第一通孔阵列和第二导电岛状物电连接到接合焊盘。第一通孔阵列未连接到第一介电层中除第一导电岛状物外的其他导电岛状物。除第二导电岛状物外，第三介电层中的其他导电岛状物未连接到第一通孔阵列。本发明提供了具有密集通孔阵列的接合焊盘结构。

公开(公告)号：CN106972037B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201610910249.5

申请日：2016-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗翰 ,  郑允玮 ,  李国政 ,  周俊豪 ,  许永隆

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体衬底、辐射传感区域、至少一个隔离结构以及掺杂的钝化层。辐射传感区域位于半导体衬底中。隔离结构位于半导体衬底中并且邻近辐射传感区域。掺杂的钝化层以基本上共形的方式至少部分地围绕隔离结构。本发明还提供了另一种半导体器件以及一种用于形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106158891B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201510765521.0

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  曾鸿辉 ,  王昭雄 ,  周俊豪 ,  蔡宗翰 ,  李国政 ,  许慈轩 ,  许永隆

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种背照式(BSI)图像传感器，包括具有平坦的下表面的介电栅格开口。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上方，并且限定介电栅格开口的平坦的下表面。本发明实施例涉及用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计。

公开(公告)号：CN109817564A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811220153.1

申请日：2018-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 古尔巴格·辛格 ,  蔡宗翰 ,  庄坤苍

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构，半导体结构包括具有顶面的衬底以及形成在衬底的顶面上的第一和第二器件。半导体结构也包括形成在衬底中以及第一和第二器件之间的深隔离结构。深隔离结构包括形成在顶面处并且具有顶部宽度的顶部部分以及具有大于顶部宽度的底部宽度的底面。本发明实施例涉及用于半导体器件中的噪声隔离的结构和方法。

公开(公告)号：CN109427648A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711220067.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗翰 ,  王柏仁 ,  吴春立 ,  高境鸿

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 提供半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括基板。此基板包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的一绝缘层。此半导体装置结构亦包括栅极堆叠，位于基板之上。此半导体装置结构更包括多个源极及漏极结构，位于基板的第二半导体层中。此些源极及漏极结构位于栅极堆叠的两侧。此外，此半导体装置结构包括第一隔离结构，位于基板中。此第一隔离结构包括绝缘材料且环绕源极及漏极结构。此半导体装置结构亦包括第二隔离结构，位于第一隔离结构中。此第二隔离结构包括金属材料且环绕源极及漏极结构。

公开(公告)号：CN106653782A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610907196.1

申请日：2016-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡伯宗 ,  周俊豪 ,  蔡宗翰 ,  李国政 ,  许永隆 ,  郑允玮

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种CMOS图像传感器结构包括衬底和像素部分。每一个像素部分都包括交叉区域、边界区域和中心区域，其中，每一个边界区域都位于多个交叉区域中的任两个相邻的交叉区域之间，并且中心区域被交叉区域和边界区域围绕。每一个像素部分都包括器件层、抗反射涂层、分立的反射结构、分立的金属阻挡结构、钝化层和滤色器。器件层设置在衬底上。沟槽形成在器件层和衬底中以分别对应于边界区域。抗反射涂层共形地覆盖器件层、衬底和沟槽。反射结构设置在沟槽中。在交叉区域中，金属阻挡结构位于抗反射涂层上面。钝化层共形地覆盖金属阻挡结构。滤色器设置在钝化层上。本发明还提供了CMOS图像传感器结构的制造方法。