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公开(公告)号：CN115676772A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211341061.5
申请日：2022-10-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法，包括：a.在密闭腔室内抽真空度达到1Pa‑1.2Pa，温度40℃‑50℃；使MEMS器件的静电荷向介质层表面积聚；b.通入温度为40℃‑50℃的氮气和气态酒精的混合气体，使之与介质层表面充分接触，去除晶圆介质层表面吸附的水蒸气颗粒；c.通入温度为40℃‑50℃的氮气、气态酒精和气态氟化氢的混合气体，将MEMS器件结构中介质层剥除一定的厚度；然后通入氮气将腔室内的残余气态氟化氢气体完全排除干净；d.MEMS器件与硅盖板之间进行真空密封封装。本发明利用气体清洗的方式去除MEMS器件中积累的电荷，避免了MEMS器件电极之间发生漏电，提高了MEMS器件电极之间的绝缘电阻，提升MEMS器件的成品率和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN119263200A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411318886.4
申请日：2024-09-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件的焊盘的制备方法，它包括在双抛硅片上依次制备有第一介质层、第一过渡金属层、第一金属层、第二过渡金属层、第二介质层、第三过渡金属层、第二金属层（10）和过渡介质层（11）。本发明通过在焊盘内增加合适的过渡金属层和过渡介质层结构，降低了金属层之间、金属层与介质层之间的应力失配而导致焊盘失效的风险，增加了焊盘可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113790835A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111110194.7
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明提供一种岛膜结构的硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：它包括以下步骤1)选取第一硅片(1)；2）背腔和硅岛制作；3）衬底片制作；4）晶圆级键合；5）底层硅和埋氧层去除；6)压阻制作；7）接触孔制作；8）引线制作。本发明具有操作方便、步骤清晰，可以使得硅岛膜结构一次成型，硅岛的高度可以精确控制，并且兼容湿法腐蚀工艺。
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公开(公告)号：CN119224371A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411310146.6
申请日：2024-09-19
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明涉及一种压阻式三轴加速度计制备方法，包括以下步骤，1.在双抛硅片（1）制作空腔（4）和Z轴方向止挡（5）；3.将双抛硅片（2）与双抛硅片（1）键合在一起并制作XYZ轴敏感结构（7、8、9）、XYZ轴止挡（10、11）；4.在双抛硅片（2）上制作压阻结构（12）和引线（13）；5.在双抛硅片（3）制作空腔（14）和Z轴止挡（15）以及通孔（16），通孔填充poly硅（18）；6.将双抛硅片（3、2、1）键合，形成本发明的一种压阻式三轴加速度计。本发明的优点，采用全硅结构避免了不同材料之间的应力失配，止挡结构提升了加速度计抗过载能力，不同方向的加速度敏感结构相互独立，避免了不同方向加速度检测存在的干扰。
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公开(公告)号：CN118954422A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410976453.1
申请日：2024-07-20
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种去除MEMS器件上颗粒及异物的方法，包括晶圆光刻工艺、湿法工艺，其特征在于：在晶圆光刻前进行清洗，光刻时对晶圆边缘及步进标记进行涂胶保护，刻蚀后对晶圆表面进行等离子风吹扫以及DHF清洗。本发明优点：在光刻时对晶圆边缘及步进标记位置进行涂胶保护，可以有效的避免因晶圆崩边或标记腔内有硅针等所引入颗粒。在刻蚀后使用等离子风对晶圆表面进行吹扫可以很大程度上的去除结构刻蚀时带来的颗粒，最后使用DHF溶液对晶圆表面进行清洗，不仅可以去除颗粒，还能够有效的避免结构的吸合。
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公开(公告)号：CN113790835B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111110194.7
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明提供一种岛膜结构的硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：它包括以下步骤1)选取第一硅片(1)；2）背腔和硅岛制作；3）衬底片制作；4）晶圆级键合；5）底层硅和埋氧层去除；6)压阻制作；7）接触孔制作；8）引线制作。本发明具有操作方便、步骤清晰，可以使得硅岛膜结构一次成型，硅岛的高度可以精确控制，并且兼容湿法腐蚀工艺。
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公开(公告)号：CN118954420A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410976446.1
申请日：2024-07-20
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件制备方法，它包括以下步骤：在SOI硅片（1）上设置敏感结构层(2)，在双抛硅片（4）上表面一侧制作引线结构层（9），在双抛硅片（4）下表面一侧制备一组金属PAD点（10），将双抛硅片（4）与SOI硅片（1）键合在一起。本发明结构简单，实施方便，降低器件的工艺难度、加工成本和可靠性风险，可以实现MEMS器件的批量生产。
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