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公开(公告)号：CN118841401A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410937990.5
申请日：2024-07-12
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种TSV通孔信号完整性验证的PCM图形及其测试方法，TSV通孔信号完整性验证的PCM图形设置在晶圆上，包括偶数个TSV通孔，所述TSV通孔首尾通过RDL布线电气线路进行多组TSV通孔的电气连接形成孔链，所述孔链首尾引出为两组裸露的PAD端；TSV通孔信号完整性验证的PCM图形的测试方法包括：针对PCM图形孔链的首尾PAD点进行扎针，测试并评估判定该TSV内部空洞存在情况和漏电情况进行标记。本发明不仅能够直接快速地评估TSV工艺的稳定性，还采用单面扎针测试操作简化检测流程，并通过串联多组TSV进行测试，极大增强了对细微不良的识别能力，确保了TSV通孔缺陷检测的高灵敏度与精确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118759345A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410862128.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开了裸芯片转接测试夹具，适用于裸芯片与PCB之间的转接，包括：底部固定板，其上具有贯通腔；顶部固定板，通过轴承与底部固定板可转动连接；转接结构，设于贯通腔内，用于承托裸芯片并将其与PCB转接；以及，盖板结构，设于顶部固定板内，用于在顶部固定板与底部固定板对接后固定裸芯片并施加弹性作用力；本发明中，夹具采用先进的零件制造技术和整体组装结构，具有性能稳定可靠、使用方便，芯片固定性好、芯片无划伤等特点，与专用的芯片夹具不同的是，本发明夹具整体结构无需改变，只需定制中间PCB层和芯片放置层小板，即可使用上千余种不同芯片的转接测试。
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公开(公告)号：CN113794847B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111111192.X
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H04N25/71 , H04N25/779
Abstract: 本发明涉及一种用于电子倍增CCD的多路可调脉冲信号源，包括上位计算机和相连的主控模块，主控模块连接多路脉冲可调信号源；上位计算机将设置的高低电平值转换为数字信号传输给主控模块，主控模块控制多路脉冲信号源生成不同的时序波形提供给电子倍增CCD电路，通过上位计算机任意调节脉冲信号源的高低电平值，最小设置精度达到毫伏级，波形建立时间达到纳秒级，方便设置任意一路EMCCD电路脉冲时序的高低电平，以达到其最佳成像效果。每路信号源具有瞬间大电流驱动能力，满足EMCCD电路高频大容性负载的驱动需求，驱动能力达到数百毫安，远远超过普通运放输出所能达到的电流范围。同时每路信号源均具有过流保护功能，防止因电流过大对驱动电路造成损伤。
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公开(公告)号：CN115718244A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211343384.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于硅基片上多芯片集成的中试评价方法，包括：a.设置测试系统和适配器；b.PCB板（7）上设有开窗（10），使用导电胶将硅基片（1）边缘不带有电气连接部分粘接到PCB板开窗边缘，利用键合丝（3）将硅基片上测试用PAD点（2）与PCB板上PAD点（4）进行键合，PCB板上PAD点通过PCB板布线（5）与排针焊盘（6）连接，排针焊盘焊接直插排针；c.将焊接直插排针插入适配器上，运行测试系统软件，根据设定的门限自动判断电路测试数据是否合格。本发明可以对研制过程中的硅基片上多芯片集成进行过程监控，可以在每颗芯片组装后进行整体的测试评估，有效的定位失效位置，避免后续全部安装后无法进行失效分析。
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公开(公告)号：CN113794847A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111111192.X
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于电子倍增CCD的多路可调脉冲信号源，包括上位计算机和相连的主控模块，主控模块连接多路脉冲可调信号源；上位计算机将设置的高低电平值转换为数字信号传输给主控模块，主控模块控制多路脉冲信号源生成不同的时序波形提供给电子倍增CCD电路，通过上位计算机任意调节脉冲信号源的高低电平值，最小设置精度达到毫伏级，波形建立时间达到纳秒级，方便设置任意一路EMCCD电路脉冲时序的高低电平，以达到其最佳成像效果。每路信号源具有瞬间大电流驱动能力，满足EMCCD电路高频大容性负载的驱动需求，驱动能力达到数百毫安，远远超过普通运放输出所能达到的电流范围。同时每路信号源均具有过流保护功能，防止因电流过大对驱动电路造成损伤。
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公开(公告)号：CN115876439A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211515348.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种用于MOEMS扫描微镜的光学偏转角测试方法，包括以下步骤：将不施加驱动信号的MOEMS扫描微镜放置在载台上，将其调整定位并固定，使MOEMS扫描微镜镜面处于水平状态，MOEMS扫描微镜定位位置对应于PSD位置模块标定的0°点；给MOEMS扫描微镜施加驱动信号，使其发生顺逆方向往复偏转；激光器射出光束照射在MOEMS扫描微镜上，经过反射后，由PSD位置模块接收反射的激光，并识别受光点位置，通过数据处理转换得到MOEMS扫描微镜的顺逆光学偏转角。本发明有效测量相对于MOEMS扫描微镜的镜面处于水平状态时顺逆偏转的具体角度，准确评估其镜面偏转情况，同时，还可以快速准确的定位MOEMS扫描微镜，提高整个测试效率。
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