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公开(公告)号：CN117441040A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280032856.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明的单晶制造装置是利用切克劳斯基法培育单晶的单晶生长装置，具有：主腔室，容纳收容原料熔液的坩埚和加热原料熔液的加热器；提拉腔室，连接设置于该主腔室的上部，提拉并收容生长的单晶；以及冷却筒，以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部朝向原料熔液表面延伸，被冷却介质强制冷却，其特征在于，具备：第一冷却辅助筒，嵌合于冷却筒的内侧；以及第二冷却辅助筒，从下端侧螺合于第一冷却辅助筒的外侧，并且冷却筒的底面与第二冷却辅助筒的上表面的间隙为0mm以上1.0mm以下。由此，能够提供可通过高效地冷却培育中的单晶而实现该单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。
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公开(公告)号：CN115103934B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080096689.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅单晶的制造方法，其为在熔融开始前的原料中导入氮化硅粉末并通过切克劳斯基法提拉掺杂有氮的硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，基于所述氮化硅粉末中所包含的碳杂质量，以使硅单晶中的碳浓度在容许值以下的方式限制能够使用的氮化硅粉末的上限量，从而掺杂氮。由此，能够在达成低碳浓度规格的同时，以低成本实现目标的氮掺杂量。
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公开(公告)号：CN118891405A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380031929.8
申请日：2023-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是隔着氧化膜将第一单晶硅基板与第二单晶硅基板结合而成的基板，其中，所述第一单晶硅基板的晶面取向是{111}，所述第二单晶硅基板的主面相对于晶面取向{100}具有偏角，在所述结合基板的所述第一单晶硅基板的表面上，形成有所述氮化物半导体膜。由此，提供一种滑移、破裂等的发生得到抑制、破坏强度高的电子器件用基板及其制造方法，该电子器件用基板在单晶硅上形成有氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN112639176B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201980056306.X
申请日：2019-06-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述熔融液的至少一部分的第三工序；将所述凝固层熔融形成熔融液的第四工序；及由该熔融液培育单晶硅的第五工序。由此能够提供用一台CZ拉晶机进行硅原料的高纯度化和单晶培育、从而培育降低了杂质浓度的单晶的方法。
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公开(公告)号：CN110036143B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201780075050.8
申请日：2017-11-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶硅制造方法，当对原料融液施加磁场并利用切克劳斯基法提拉单晶硅时，设定单晶硅的提拉直径为300mm以上，设定单晶硅的生长轴取向为＜111＞，设定单晶硅的提拉直径为D[mm]，设定原料融液表面的中心磁场强度为M[Gauss]，设定单晶硅的旋转速度为R[rpm]，以满足1096/D‑(0.134×M+80×R)/D＞0.7的关系的方式进行单晶硅的生长。由此，能够制造宏观上的RRG分布及微观上的电阻率变动良好的＜111＞结晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110036143A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780075050.8
申请日：2017-11-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶硅制造方法，当对原料融液施加磁场并利用切克劳斯基法提拉单晶硅时，设定单晶硅的提拉直径为300mm以上，设定单晶硅的生长轴取向为＜111＞，设定单晶硅的提拉直径为D[mm]，设定原料融液表面的中心磁场强度为M[Gauss]，设定单晶硅的旋转速度为R[rpm]，以满足1096/D-(0.134×M+80×R)/D＞0.7的关系的方式进行单晶硅的生长。由此，能够制造宏观上的RRG分布及微观上的电阻率变动良好的＜111＞结晶。
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公开(公告)号：CN118414455A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280079606.1
申请日：2022-10-31
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是由晶面方位为{111}的第一单晶硅基板与晶面方位为{100}的第二单晶硅基板经由氧化膜结合而成的基板，所述第一基板在 方向上形成有缺口，所述第二基板在 方向或 方向上形成有缺口，所述第一基板的 方向与所述第二基板的 方向在‑15°～15°的角度范围内结合，在所述结合基板的所述第一基板的表面上形成有所述氮化物半导体膜。由此，提供一种破坏强度较高的电子器件用基板及其制造方法，该电子器件用基板在单晶硅上形成有氮化物半导体，并且抑制滑移、破裂等的发生。
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公开(公告)号：CN113811642A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080033333.8
申请日：2020-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其配置有加热器和坩埚并具有中心轴；以及磁场产生装置，其具有超导线圈，磁场产生装置具有四个超导线圈，在由包含X轴和提拉炉的中心轴的剖面划分的两个区域的每一个中，各两个超导线圈配置为相对于剖面线对称，其中，该X轴是包含四个超导线圈的所有线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向，四个超导线圈都配置为，线圈轴相对于Y轴成大于‑30°小于30°的角度范围，该磁力线的方向相对于剖面线对称，在每一个区域中，两个超导线圈产生的磁力线的方向相反。由此，提供一种在单晶提拉装置的解体·安装时不需要使磁场产生装置移动，能够降低培育的单晶中的氧浓度，并且能够抑制培育的单晶中的生长条纹的单晶提拉装置。
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公开(公告)号：CN116507761A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180079826.X
申请日：2021-10-11
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/26
Abstract: 本发明是一种隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法，当利用切克劳斯基法一边对坩埚内的原料熔液施加磁场一边提拉单晶硅时，设置位于原料熔液面上方的隔热部件，并测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离，其特征在于，在所述隔热部件下端面形成贯通孔，当实测所述隔热部件下端面与所述原料熔液面之间的距离并用定点观测机观测了所述贯通孔的反射到所述原料熔液面的镜像的位置后，在所述单晶硅提拉过程中，用所述定点观测机测量所述镜像的移动距离，并根据实测值与所述镜像的移动距离来计算隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离。由此，能够提供一种可以高精度地测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法。
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公开(公告)号：CN115997271A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180045965.0
申请日：2021-07-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体晶圆，其为在单晶硅基板上具有由氮化物半导体构成的器件层的氮化物半导体晶圆，其中，所述单晶硅基板为CZ单晶硅基板，其电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度为5.0×1016原子/cm3(JEIDA)以上2.0×1017原子/cm3(JEIDA)以下、氮浓度为5.0×1014原子/cm3以上。由此，提供一种即便使用适合用于高频器件的通过CZ法制造的高电阻低氧单晶硅基板，也不易发生塑性变形，且基板的翘曲较小的氮化物半导体晶圆。
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