公开(公告)号：CN106029958A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580008300.7

申请日：2015-02-03

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 柳町隆弘 ,  秋叶雅弘 ,  德江润也 ,  园川将

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明是一种单晶硅制造装置，其是基于CZ法的单晶硅制造装置，具备在内部具有加热原料的加热器的腔室以及通过冷却介质来冷却腔室的装置，所述单晶硅制造装置具备：供冷却所述腔室的冷却介质在腔室内流通的流路上的入口温度、出口温度及流量的测定装置；基于入口温度、出口温度及流量的测定值来计算从腔室去除的去除热量的运算装置；以及基于计算出的去除热量来控制加热器功率的加热器功率控制装置。由此，提供一种单晶硅制造装置，其基于由冷却介质的温度及流量的测定值计算出的从腔室去除的去除热量来控制加热器功率，由此能够以更接近目标值的结晶直径及结晶提拉速度来进行单晶的提拉。

公开(公告)号：CN106029958B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201580008300.7

申请日：2015-02-03

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 柳町隆弘 ,  秋叶雅弘 ,  德江润也 ,  园川将

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20

Abstract: 本发明是一种单晶硅制造装置，其是基于CZ法的单晶硅制造装置，具备在内部具有加热原料的加热器的腔室以及通过冷却介质来冷却腔室的装置，所述单晶硅制造装置具备：供冷却所述腔室的冷却介质在腔室内流通的流路上的入口温度、出口温度及流量的测定装置；基于入口温度、出口温度及流量的测定值来计算从腔室去除的去除热量的运算装置；以及基于计算出的去除热量来控制加热器功率的加热器功率控制装置。由此，提供一种单晶硅制造装置，其基于由冷却介质的温度及流量的测定值计算出的从腔室去除的去除热量来控制加热器功率，由此能够以更接近目标值的结晶直径及结晶提拉速度来进行单晶的提拉。

公开(公告)号：CN116507761A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180079826.X

申请日：2021-10-11

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 菅原孝世 ,  今井崇希 ,  秋叶雅弘 ,  北川胜之

IPC: C30B15/26

Abstract: 本发明是一种隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法，当利用切克劳斯基法一边对坩埚内的原料熔液施加磁场一边提拉单晶硅时，设置位于原料熔液面上方的隔热部件，并测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离，其特征在于，在所述隔热部件下端面形成贯通孔，当实测所述隔热部件下端面与所述原料熔液面之间的距离并用定点观测机观测了所述贯通孔的反射到所述原料熔液面的镜像的位置后，在所述单晶硅提拉过程中，用所述定点观测机测量所述镜像的移动距离，并根据实测值与所述镜像的移动距离来计算隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离。由此，能够提供一种可以高精度地测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法。