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公开(公告)号：CN1754267A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200380109980.9
申请日：2003-12-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079
Abstract: 在本发明的发光元件100中，以具有发光层部24的化合物半导体层的第一主表面作为光取出面，在该化合物半导体的第二主表面侧，透过具有反射面的主金属层10结合元件基板7而构成；该反射面使来自该发光层部24的光向该光取出面侧反射，其特征在于：该元件基板7是以导电型为p型的Si基板所构成，且在该元件基板7的主金属层侧10的主表面正上方形成以Al为主成分的接触层31。藉此提供：在具有透过金属层使发光层部与元件基板贴合的构造的发光元件中，具有良好的导电性的发光元件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN118043942A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280065905.X
申请日：2022-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明是一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，其中，所述接合型晶片的剥离方法包括将激光照射至所述接合型晶片，由此来使所述固化型接合材和/或与所述固化型接合材接触的所述元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使所述固化型接合材和/或所述元件结构部的表面分解，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。由此，提供一种分离方法，所述分离方法在作为接合型晶片的、具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合这一利用固化型接合材而牢固地接合的晶片的分离中，元件结构部的残存率高。
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公开(公告)号：CN116249803A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180066639.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以AlxGa1‑xN(0.5
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公开(公告)号：CN115698391A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180041183.X
申请日：2021-04-12
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: C30B25/18 , H01L21/02 , H01L21/205 , C30B29/38 , C23C16/34
Abstract: 提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及晶种层，其设置在平坦化层的上表面，具有0.1μm以上且1.5μm以下的厚度，且由III族氮化物的单晶形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1478306A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN01819811.2
申请日：2001-11-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/365
Abstract: 本发明的发光组件(1)，具有由p型被覆层(2)、活性层(33)以及n型被覆层(34)依这一顺序叠层而得到的发光层部，且p型被覆层(2)由p型MgxZn1－xO(其中，0＜x≤1)层构成。再者，利用MOVPE法形成该层，这样可有效地抑制成膜中氧缺损的发生，得到具有良好特性的p型MgxZn1－xO层。
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公开(公告)号：CN117460868A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280041694.6
申请日：2022-06-27
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L33/32 , H01L21/265 , H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/02
Abstract: 本发明为一种紫外线发光元件用外延片，其具有：对紫外光呈透明且具有耐热性的第一支撑基板；通过贴合而接合在该第一支撑基板上的AlxGa1‑xN(0.5＜x≤1)单晶的晶种层；以及在该晶种层上依次层叠生长有以AlyGa1‑yN(0.5＜y≤1)为主成分的第一导电型包覆层、AlGaN系活性层及以AlzGa1‑zN(0.5＜z≤1)为主成分的第二导电型包覆层的外延层。由此，提供一种紫外线发光元件用外延片及其制造方法，该紫外线发光元件用外延片廉价且光提取效率良好，并且具有高质量的AlN等III族氮化物的外延层。
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公开(公告)号：CN100421270C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510053612.8
申请日：2005-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其在发光层部通过反射用金属层将补强用导电基板贴合，既容易制造，又可良好地维持金属层所形成的反射面的反射率。发光元件具有化合物半导体层，该层具有发光层部及形成于该发光层部的第一主表面上的电流扩散层。该化合物半导体层的第二主表面，是通过反射金属层结合于构成导电性元件基板的Si基板的第一主表面上。反射金属层10是由以Au、Ag、或Al之任一作为主成分的金属构成。反射金属层与Si基板通过导电性粘着材层11贴合，该导电性粘着材层11是将以Au、Al、Cu、或Ni为主成分的金属粒子，以环氧系高分子材料、氨基甲酸系高分子材料或丙烯酸系高分子材料等构成的高分子结合材料结合而构成。
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公开(公告)号：CN116964759A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280018054.3
申请日：2022-02-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种紫外线发光元件用外延片的制造方法，其具有：准备至少一个表面由氮化镓构成的支撑基板的工序；在所述支撑基板的由所述氮化镓构成的所述表面形成接合层的工序；在所述接合层上贴合由AlxGa1‑xN(0.5＜x≤1.0)单晶构成的晶种，形成具有晶种层的贴合基板的工序；及使至少包含由AlyGa1‑yN(0.5＜y≤1.0)构成的第一导电型包覆层、AlGaN系活性层及由AlzGa1‑zN(0.5＜z≤1.0)构成的第二导电型包覆层的紫外发光元件层在所述贴合基板的所述晶种层上外延生长的工序。由此，提供一种平价且高质量的紫外线发光元件用外延片的制造方法。
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公开(公告)号：CN115997050A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180046066.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及单晶的晶种层，其设置在平坦化层的上表面，在表面具有凹凸图案，且厚度为0.1μm以上且1.5μm以下。
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