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公开(公告)号：CN105580119B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201480052178.9
申请日：2014-10-27
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 加藤正弘
IPC: H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67306
Abstract: 本发明提供一种热处理方法，其将多片半导体晶圆各自水平载置于以碳化硅覆盖的支撑构件上，并在纵型热处理炉内实行高温热处理，其中，该热处理方法的特征在于，将所述支撑构件，在第一条件或第二条件中任一种条件的高温热处理中持续使用了一定期间后，在所述第一条件和第二条件中的另一种条件的高温热处理中持续使用一定期间，以此方式将所述支撑构件与热处理条件切换来进行热处理；并且，所述第一条件的高温热处理，是以1000℃以上的温度，在含有稀有气体且不含有氧气的氛围下进行的热处理；所述第二条件的高温热处理，是以1000℃以上的温度，在含有氧气且不含有稀有气体的氛围下进行的热处理。由此，能够抑制滑移位错。
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公开(公告)号：CN105580119A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052178.9
申请日：2014-10-27
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 加藤正弘
IPC: H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67306
Abstract: 本发明提供一种热处理方法，其将多片半导体晶圆各自水平载置于以碳化硅覆盖的支撑构件上，并在纵型热处理炉内实行高温热处理，其中，该热处理方法的特征在于，将所述支撑构件，在第一条件或第二条件中任一种条件的高温热处理中持续使用了一定期间后，在所述第一条件和第二条件中的另一种条件的高温热处理中持续使用一定期间，以此方式将所述支撑构件与热处理条件切换来进行热处理；并且，所述第一条件的高温热处理，是以1000℃以上的温度，在含有稀有气体且不含有氧气的氛围下进行的热处理；所述第二条件的高温热处理，是以1000℃以上的温度，在含有氧气且不含有稀有气体的氛围下进行的热处理。由此，能够抑制滑移位错。
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公开(公告)号：CN107615469B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201680029024.7
申请日：2016-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 加藤正弘
IPC: H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 本发明提供一种半导体晶圆的评价方法，包含以DWO以及DNO两种检测模式，检测调查用样品的半导体晶圆表面的LPD；进行LPD的尺寸分类；自以两种检测模式所检测出的LPD的检测坐标，计算两种检测模式中检测坐标间的距离及相对于晶圆中心的相对角度；将各经分类的尺寸预先设定将LPD判定为异物或致命缺陷的判定基准；以两种检测模式测定评价对象半导体晶圆的LPD；进行评价对象的LPD的尺寸分类；关于评价对象，计算检测坐标间的距离及相对于晶圆中心的相对角度；以及基于计算结果及判定基准，将评价对象的半导体晶圆表面所检测出的LPD分类为致命缺陷及异物。
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公开(公告)号：CN105474358B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201480045780.X
申请日：2014-07-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种贴合晶圆的制造方法，其使用具有切口部的晶圆作为接合晶圆和基底晶圆，在离子注入时，设定进行离子注入的离子注入机和离子注入条件中的任一者或两者，使得在接合晶圆的剥离时，使已贴合的接合晶圆和基底晶圆的任一者或两者的切口部的位置，位于从接合晶圆的剥离开始位置起0±30度或180±30度的范围内。由此，能提供一种贴合晶圆的制造方法，在利用离子注入剥离法来形成SOI层等薄膜时，能够降低在刚剥离后的薄膜表面上所产生的巨大断层缺陷的可能性。
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公开(公告)号：CN107430982B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201680014896.6
申请日：2016-02-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种贴合式半导体晶圆，在主要表面上具有单晶硅层，其中该贴合式半导体晶圆具有一自单晶硅所构成的基底晶圆及具有依序向上地位于该基底晶圆上的第一介电质层、多晶硅层、第二介电质层及该单晶硅层，并且该多晶硅层与该第二介电质层之间构成为贴合面，以及该基底晶圆与该第一介电质层之间形成有载体陷阱层。因此提供能避免掉Trap‑rich型的SOI基板中由于BOX氧化膜之中的电荷的影响或杂质所导致的基底晶圆的电阻率的低下，并使高频的基本讯号的失真及一电路向其它电路的环绕讯号变少，并且量产性为优良的贴合式半导体晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107615469A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029024.7
申请日：2016-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 加藤正弘
IPC: H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 本发明提供一种半导体晶圆的评价方法，包含以DWO以及DNO两种检测模式，检测调查用样品的半导体晶圆表面的LPD；进行LPD的尺寸分类；自以两种检测模式所检测出的LPD的检测坐标，计算两种检测模式中检测坐标间的距离及相对于晶圆中心的相对角度；将各经分类的尺寸预先设定将LPD判定为异物或致命缺陷的判定基准；以两种检测模式测定评价对象半导体晶圆的LPD；进行评价对象的LPD的尺寸分类；关于评价对象，计算检测坐标间的距离及相对于晶圆中心的相对角度；以及基于计算结果及判定基准，将评价对象的半导体晶圆表面所检测出的LPD分类为致命缺陷及异物。
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公开(公告)号：CN104025254A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065462.0
申请日：2012-11-30
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/30604 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种制造SOI晶片的方法，该方法具有对于剥离后的贴合SOI晶片，进行第一快速热退火处理之后进行第一牺牲氧化处理，其后，进行第二快速热退火处理之后进行第二牺牲氧化处理的工序，在含有氢气的气氛下以1100℃以上的温度进行上述第一和第二快速热退火处理，在上述第一和第二牺牲氧化处理中，通过以900℃以上且1000℃以下的温度仅进行利用分批式热处理炉的热氧化而在上述SOI层表面形成热氧化膜之后，进行去除该热氧化膜的处理，从而制造贴合SOI晶片。由此，提供一种能够制造具有所期望的膜厚和优良的膜厚分布的SOI层的贴合SOI晶片的方法，该方法在利用离子注入剥离法的贴合SOI晶片的制造中，能够改进剥离后的SOI层的表面粗糙度，并且能够抑制滑移位错和缺陷的发生。
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公开(公告)号：CN1791705A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013251.8
申请日：2004-04-02
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06
Abstract: 本发明涉及一种硅外延晶片(W)，其特征在于包含：单晶硅基材(1)，在其主表面(11)上具有COP(100)；和在单晶硅基材(1)的主表面(11)上通过气相外延生长形成的硅外延层(2)，其中所述主表面(11)相对于[100]轴沿着[011]方向或[0－1－1]方向从(100)平面倾斜θ角度，以及相对于[100]轴沿着[01－1]方向或[0－11]方向从(100)平面倾斜φ角度，且θ角和/或φ角是0°－15’。
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公开(公告)号：CN107430982A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014896.6
申请日：2016-02-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种贴合式半导体晶圆，在主要表面上具有单晶硅层，其中该贴合式半导体晶圆具有一自单晶硅所构成的基底晶圆及具有依序向上地位于该基底晶圆上的第一介电质层、多晶硅层、第二介电质层及该单晶硅层，并且该多晶硅层与该第二介电质层之间构成为贴合面，以及该基底晶圆与该第一介电质层之间形成有载体陷阱层。因此提供能避免掉Trap-rich型的SOI基板中由于BOX氧化膜之中的电荷的影响或杂质所导致的基底晶圆的电阻率的低下，并使高频的基本讯号的失真及一电路向其它电路的环绕讯号变少，并且量产性为优良的贴合式半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN105474358A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480045780.X
申请日：2014-07-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种贴合晶圆的制造方法，其使用具有切口部的晶圆作为接合晶圆和基底晶圆，在离子注入时，设定进行离子注入的离子注入机和离子注入条件中的任一者或两者，使得在接合晶圆的剥离时，使已贴合的接合晶圆和基底晶圆的任一者或两者的切口部的位置，位于从接合晶圆的剥离开始位置起0±30度或180±30度的范围内。由此，能提供一种贴合晶圆的制造方法，在利用离子注入剥离法来形成SOI层等薄膜时，能够降低在刚剥离后的薄膜表面上所产生的巨大断层缺陷的可能性。
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