-
公开(公告)号：CN101809769B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880109044.0
申请日：2008-10-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/30 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/16 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/30
Abstract: 根据金属有机化合物气相外延法，具有以 方向作为基准方向，倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板(1)上，依次形成由包含两个或多个以上III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y＜1)构成的发光层部(24)和第一GaP层(7a)。其中，倾斜角用氢化物气相外延法，在第一GaP层(7a)上形成第二GaP层(7b)，(7c)。第二GaP层(7b)，(7c)作为二阶段生长，以第一生长速度的低速生长区域(7b)和以高于上述第一生长速度的第二生长速度的高速生长区域(7c)，在整个生长过程中，速度在10μm/hr到40μm/hr之间。从而提供一种化合物半导体外延晶片及其制造方法，它能够抑制通过氢化物气相外延法形成的厚的窗口层时产生的小丘高度。
-
公开(公告)号：CN119173990A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202380042426.0
申请日：2023-04-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电阻率测量方法，其利用C‑V法对形成于使用低电阻率基板制造出的EPW的EP层的电阻率进行测量，对于利用C‑V法对作为测量对象的EP层的电阻率进行测量而得到的SEMI换算电阻率、或对于对其实施了固定的换算的电阻率，进行基于第一换算式的换算和基于第二换算式的换算，得到作为测量对象的EP层的四探针电阻率，其中，第一换算式通过对利用C‑V法测量已进行四探针标准电阻率赋值的标准PW而得到的C‑V电阻率和四探针标准电阻率进行比较而求出，第二换算式通过对高电阻率基板EPW和低电阻率基板EPW的EP层的C‑V电阻率进行比较而求出，其中，高电阻率基板EPW使用具有能够利用C‑V法测量的电阻率的高电阻率基板制作，低电阻率基板EPW使用低电阻率基板制作。由此，能够提供一种电阻率测量方法，其具有在使用PW晶圆追溯国际标准时进行C‑V法的新颖的电阻率换算。
-
公开(公告)号：CN101410996A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011180.1
申请日：2007-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02543 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0066
Abstract: 本发明提供一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板1上，依次外延生长由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体所构成的发光层部24与电流扩散层7，其中，依次实施以有机金属气相成长法将发光层部24外延生长于成长用单结晶基板1上的有机金属气相成长步骤、以及以氢化物气相成长法将电流扩散层7外延生长于发光层部24上的氢化物气相成长步骤。然后，使电流扩散层7具有位于靠近发光层部24之侧的低速成长层7a、与连接该低速成长层7a的高速成长层7b，在氢化物气相成长步骤中，将低速成长层7a的成长速度设定为小于高速成长层7b的成长速度来成长。由此，使用氢化物气相成长法形成厚的电流扩散层时，可抑制凸起的产生。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101410996B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200780011180.1
申请日：2007-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02543 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0066
Abstract: 本发明提供一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板1上，依次外延生长由第一之III—V族化合物半导体所构成的发光层部24与电流扩散层7，其中，依次实施以有机金属气相成长法将发光层部24外延生长于成长用单结晶基板1上的有机金属气相成长步骤、以及以氢化物气相成长法将电流扩散层7外延生长于发光层部24上的氢化物气相成长步骤。然后，使电流扩散层7具有位于靠近发光层部24之侧的低速成长层7a、与连接该低速成长层7a的高速成长层7b，在氢化物气相成长步骤中，将低速成长层7a的成长速度设定为小于高速成长层7b的成长速度来成长。由此，使用氢化物气相成长法形成厚的电流扩散层时，可抑制凸起的产生。
-
公开(公告)号：CN109643669A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780050016.5
申请日：2017-07-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 久米史高
Abstract: 本发明提供一种电阻率标准样本的制造方法，包含第一导电型单晶硅基板的准备步骤、使用有对国家标准的追溯性的厚度测定机器测定单晶硅基板的厚度的步骤、将第二导电型硅磊晶层于第一导电型单晶硅基板上成长而制作具有p-n接面的磊晶晶圆的步骤、使用有对国家标准的追溯性的厚度测定机器测定磊晶晶圆的厚度的步骤、自磊晶晶圆的厚度与单晶硅基板的厚度求得硅磊晶层的厚度的步骤、以及使用有对电阻率标准物质的追溯性的电阻率测定机器的磊晶层的电阻率测定步骤。该电阻率标准样本的制造方法能够制造对电阻率标准物质(例如NIST)有追溯性的电阻率标准样本。
-
公开(公告)号：CN109643669B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201780050016.5
申请日：2017-07-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 久米史高
Abstract: 本发明提供一种电阻率标准样本的制造方法，包含第一导电型单晶硅基板的准备步骤、使用有对国家标准的追溯性的厚度测定机器测定单晶硅基板的厚度的步骤、将第二导电型硅磊晶层于第一导电型单晶硅基板上成长而制作具有p‑n接面的磊晶晶圆的步骤、使用有对国家标准的追溯性的厚度测定机器测定磊晶晶圆的厚度的步骤、自磊晶晶圆的厚度与单晶硅基板的厚度求得硅磊晶层的厚度的步骤、以及使用有对电阻率标准物质的追溯性的电阻率测定机器的磊晶层的电阻率测定步骤。该电阻率标准样本的制造方法能够制造对电阻率标准物质(例如NIST)有追溯性的电阻率标准样本。
-
公开(公告)号：CN113519040A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202080018057.8
申请日：2020-01-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/324 , H01L21/66 , C30B29/06 , G01N27/04
Abstract: 本发明为一种单晶硅的电阻率测定方法，其中，在以四探针法测定单晶硅的电阻率的单晶硅的电阻率测定方法中，具有：至少对所述单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第一磨削工序，对实施了所述第一磨削工序的单晶硅进行清洗的清洗工序，对实施了所述清洗工序的单晶硅进行热处理的供体消除热处理工序，及至少对实施了所述供体消除热处理工序的单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第二磨削工序，并在实施所述第二磨削工序之后，以四探针法测定所述单晶硅的电阻率。由此，可提供一种能够在供体消除热处理之后长期稳定地进行测定的单晶硅的电阻率测定方法。
-
公开(公告)号：CN101809769A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109044.0
申请日：2008-10-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/30 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/16 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/30
Abstract: 根据金属有机化合物气相外延法，具有以 方向作为基准方向，倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板(1)上，依次形成由包含两个或多个以上III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y≤1)构成的发光层部(24)和第一GaP层(7a)。其中，倾斜角用氢化物气相外延法，在第一GaP层(7a)上形成第二GaP层(7b)，(7c)。第二GaP层(7b)，(7c)作为二阶段生长，以第一生长速度的低速生长区域(7b)和以高于上述第一生长速度的第二生长速度的高速生长区域(7c)，在整个生长过程中，速度在10μm/hr到40μm/hr之间。从而提供一种化合物半导体外延晶片及其制造方法，它能够抑制通过氢化物气相外延法形成的厚的窗口层时产生的小丘高度。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.016 seconds)
