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公开(公告)号：CN116902985A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310422830.2
申请日：2023-04-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/03 , C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅棒，通过西门子法制造，其长度方向上的长度大于等于1米，其棒体侧面长度方向的残留应力的压缩应力与拉伸应力之差的绝对值小于等于22Mpa。
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公开(公告)号：CN113371716A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110236189.4
申请日：2021-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明的底板的污染防止方法，包括：在具有底板以及覆盖所述底板的盖的反应器内制造多晶硅的工序；从所述底板除去所述盖的工序；以及通过隔离装置隔离包含所述底板的空间的工序。
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公开(公告)号：CN111455461A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010025708.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及多晶硅棒、多晶硅杆及其制造方法。提供适合作为基于FZ法的单晶硅的制造用原料的多晶硅杆。在对通过西门子法培育出的多晶硅棒(10)进行外圆磨削的工序中，以使多晶硅杆(30)的中心轴(CR)与硅芯线(20)的中心轴(C0)间隔2mm以上的方式实施该外圆磨削工序，制成多晶硅杆(30)。
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公开(公告)号：CN103958406A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058859.7
申请日：2012-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/52
Abstract: 在本发明中，使硅在硅芯线上析出而得到多晶硅棒的多晶硅的制造方法中，在析出反应的初期阶段(前段工序)中通过将原料气体大量供给至反应炉内而在不提高反应速度的情况下使供给的原料气体的浓度为高浓度，由此提高反应速度，在该前段工序之后的后段工序中利用将原料气体高速吹入反应炉内所产生的高速强制对流的效果将爆米花的产生概率抑制在较低水平。由此，即使在高压化、高负荷化、高速化的反应体系中，也能够在不降低生产效率的情况下制造爆米花少且高纯度的多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN113371716B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110236189.4
申请日：2021-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明的底板的污染防止方法，包括：在具有底板以及覆盖所述底板的盖的反应器内制造多晶硅的工序；从所述底板除去所述盖的工序；以及通过隔离装置隔离包含所述底板的空间的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109252215B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810724213.7
申请日：2018-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于0.40的范围。
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公开(公告)号：CN115583653A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210757989.5
申请日：2022-06-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅棒的制造装置，包括：用于使多晶硅析出的硅芯线1；贯穿底板80设置的硅芯线用电极60；设置在硅芯线1与硅芯线用电极60之间且由能够相对于底板80移动的适配器等构成的调整构件10；以及可冷却调整构件10的冷却部。
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公开(公告)号：CN115560628A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210685812.9
申请日：2022-06-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: F28G9/00 , C01B33/035
Abstract: 本发明的清洗系统包括：与用于制造以氯硅烷为原料的多晶硅的反应容器10连结的第一配管20；与所述第一配管20连结的热交换器30；设置在所述热交换器30与所述第一配管20之间的第二配管60；以及设置在所述第一配管20或所述第二配管60上的驱动部50。其中，清洗液受到来自所述驱动部50的力，在所述第一配管20、所述热交换器30及所述第二配管60中循环。
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公开(公告)号：CN112299421A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010673757.2
申请日：2020-07-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造装置包括将芯线夹与金属电极电连接的电极适配器，所述电极适配器与设置在所述金属电极的螺合部之间被设为非导通。此外，本发明涉及的多晶硅制造装置包括将芯线夹与金属电极电连接的电极适配器，所述电极适配器通过固定机构部被固定于所述金属电极，并且所述电极适配器与所述固定机构部之间被设为非导通。
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公开(公告)号：CN106947955A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710117230.X
申请日：2013-02-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/50 , C23C16/52 , C30B28/14 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及多晶硅棒的制造方法。在钟形玻璃罩(1)内所配置的两对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换是通过开关(S1～S3)进行的。电流从供给低频率电流的一个低频电源(15L)或供给具有2kHz以上的频率的频率可变的高频电流的一个高频电源(15H)被供给到该电路(16)。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)从而将两对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换到高频电源(15H)侧，则能够对串联连接的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流而进行通电加热。
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