公开(公告)号：CN105144410A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480022894.2

申请日：2014-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柴田馨 ,  秋田胜史 ,  藤井慧 ,  石塚贵司

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14652 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种在近红外至红外区中具有高量子效率或高灵敏度的半导体器件等。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上且包括层a和层b的多个对的多量子阱结构；以及设置在衬底和多量子阱结构之间的晶体调整层。晶体调整层包括由与衬底相同的材料制成并与衬底接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构的层a或层b相同的材料制成并与多量子阱结构接触的第二调整层。

公开(公告)号：CN104134713A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410183366.7

申请日：2014-04-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  柴田馨 ,  秋田胜史

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明涉及外延晶片及其制造方法、半导体元件和光学传感器装置。本发明的外延晶片包括由III-V族化合物半导体构成的衬底，由III-V族化合物半导体构成并且位于衬底上的多量子阱结构，和由III-V族化合物半导体构成并且位于多量子阱结构上的顶层。该衬底具有(100)的面取向以及-0.030°或更大且+0.030°或更小的偏离角，并且该顶层的表面具有小于10nm的均方根粗糙度。

公开(公告)号：CN104576807A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410575708.X

申请日：2014-10-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  柴田馨 ,  西塚幸司 ,  藤井慧

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括其中层叠多个半导体层的半导体层层叠体，半导体层层叠体包括光接收层，光接收层通过金属有机气相外延方法生长，光接收层具有大于或等于3μm且小于或等于8μm的截止波长，在-140℃的温度下施加60mV的反向偏压时，半导体器件具有小于或等于1×10-1A/cm2的暗电流密度。由此，提供可以接收中红外范围内的光并具有低暗电流的半导体器件。

公开(公告)号：CN104218118A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410220700.1

申请日：2014-05-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  柴田馨 ,  秋田胜史

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/102 ,  H01L31/0352 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置。制造外延晶片的方法包括在III-V族半导体衬底上生长外延层结构的步骤，该外延层结构包括III-V族半导体多量子阱和III-V族半导体表面层，其中执行在衬底上生长外延层结构的步骤，使得多量子阱相对于衬底的晶格失配△ω满足-0.13％≤△ω

公开(公告)号：CN101809730B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880108949.6

申请日：2008-12-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柴田馨 ,  中西文毅

IPC: H01L21/677 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C23C14/566 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/67201 ,  Y10T137/0396

Abstract: 本发明提供了在接收/传送室中能够抑制异物在处理对象物上的粘附的处理方法。本发明还提供了使用这种处理方法制造半导体装置的方法。所述处理方法包括下列步骤：在加载锁定室(衬底加载锁定室)中接收衬底的步骤(图3中的步骤(S21))，所述加载锁定室用于将所述衬底载入到对衬底即处理对象物进行处理的处理室中；和降低所述衬底加载锁定室(3)的内部压力的步骤(图3中的步骤(S23))。在降低内部压力的步骤(S23)中，以相对低的速度、然后以相对高的速度降低压力。

公开(公告)号：CN101809730A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880108949.6

申请日：2008-12-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柴田馨 ,  中西文毅

IPC: H01L21/677 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C23C14/566 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/67201 ,  Y10T137/0396

Abstract: 本发明提供了在接收/传送室中能够抑制异物在处理对象物上的粘附的处理方法。本发明还提供了使用这种处理方法制造半导体装置的方法。所述处理方法包括下列步骤：在加载锁定室(衬底加载锁定室)中接收衬底的步骤(图3中的步骤(S21))，所述加载锁定室用于将所述衬底载入到对衬底即处理对象物进行处理的处理室中；和降低所述衬底加载锁定室(3)的内部压力的步骤(图3中的步骤(S23))。在降低内部压力的步骤(S23)中，以相对低的速度、然后以相对高的速度降低压力。

公开(公告)号：CN101578699A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001465.1

申请日：2008-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柴田馨 ,  冈林真志 ,  本津泰弘 ,  入仓正登 ,  中西文毅

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9505 ,  G01N21/894 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有均匀半导体膜的半导体晶片。对于2英寸直径的半导体晶片(1)，在每一个半导体晶片(3)中形成一个至20个的针孔(3)。因而，在形成半导体膜之后获得半导体晶片(1)的翘曲值减小以及在曝光之后获得尺寸变化减小的效果。可以预计，通过针孔(3)的存在而导致半导体晶片(1)的表面上的位错被消除，从而能够获得这种效果。能够均匀化半导体膜的膜质量，以及均匀化半导体装置的性能，并且可以防止半导体晶片(1)破碎。