公开(公告)号：CN104576807A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410575708.X

申请日：2014-10-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  柴田馨 ,  西塚幸司 ,  藤井慧

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括其中层叠多个半导体层的半导体层层叠体，半导体层层叠体包括光接收层，光接收层通过金属有机气相外延方法生长，光接收层具有大于或等于3μm且小于或等于8μm的截止波长，在-140℃的温度下施加60mV的反向偏压时，半导体器件具有小于或等于1×10-1A/cm2的暗电流密度。由此，提供可以接收中红外范围内的光并具有低暗电流的半导体器件。

公开(公告)号：CN103190042A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180053428.7

申请日：2011-10-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  善积祐介 ,  西塚幸司

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/325 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S2302/00 ,  H01S2304/04

Abstract: 提供一种具有氧浓度降低的p型氮化镓系半导体层的III族氮化物半导体元件。III族氮化物半导体元件(11)包括：基板(13)、n型III族氮化物半导体区域(15)、发光层(17)及p型III族氮化物半导体区域(19)。基板(13)的主面(13a)自与沿该第1氮化镓系半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面(Sc)以50度以上且低于130度的范围的角度倾斜。p型III族氮化物半导体区域(19)包含第一p型氮化镓系半导体层(21)，第一p型氮化镓系半导体层(21)的氧浓度为5×1017cm-3以下。第一p型氮化镓系半导体层(21)的p型掺杂物浓度Npd与氧浓度Noxg的浓度比(Noxg/Npd)为1/10以下。