公开(公告)号：CN116195050A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180061197.8

申请日：2021-07-02

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 原田隆博 ,  小坂弥 ,  山本晋也 ,  西川敦准 ,  伊东昌治

IPC: H01L23/29

Abstract: 本发明的功率模块(10)具有功率半导体芯片(1)和Cu电路(3)，该Cu电路(3)在一个表面设置功率半导体芯片(1)。功率模块(10)具有：利用烧结膏将功率半导体芯片(1)与Cu电路(3)接合的烧结层(2)；和用于将Cu底板(5)与Cu电路(3)的另一个表面接合而设置的散热片(4)，在功率半导体芯片(1)、烧结层(2)、Cu电路(3)和散热片(4)叠层而成的第一叠层结构中，叠层方向的热阻的合计XA为0.30(K/W)以下。

公开(公告)号：CN101031606B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200580033197.8

申请日：2005-09-29

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 榎尚史 ,  和泉笃士 ,  山本裕美子 ,  原田隆博

IPC: C08G73/10 ,  C09D179/04 ,  C08G73/22

CPC classification number: C08L79/08 ,  C08L79/04 ,  C09D179/04 ,  C09D179/08 ,  H01L51/052

Abstract: 本发明通过包含具有以通式(1)表示的结构的化合物的树脂组合物，提供一种在热处理后，具有高耐热性、低介电常数的树脂组合物、其清漆以及采用它的半导体装置。[式(1)中，Ar表示芳香基，a表示0或1。R11表示碳原子数为1以上的有机基，其中至少一个为具有脂环式结构的基，当q为2以上的整数时，R11既可以互相相同也可以相异。R1至R5以及R6至R10，在各自的苯环上至少一个是与Ar或R11的结合部位，其它为氢原子、具有脂环式结构的基、碳原子数为1以上10以下的有机基、羟基及羧基中的任意基团，当a为0时，至少一个为表示具有脂环式结构的基。q为1以上的整数。X表示-O-、-NHCO-、-CONH-、-COO-以及OCO-中的任意基团]。

公开(公告)号：CN115836465A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180040378.2

申请日：2021-05-24

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 丹野稔大 ,  小坂弥 ,  山本晋也 ,  西川敦准 ,  原田隆博

IPC: H02K3/24 ,  H02K9/19

Abstract: 马达(100)具有：具有多个齿部(7)的定子(6)；卷绕在齿部(7)的线圈(9)；和线圈(9)形成在齿部(7)之间的槽(8)，线圈(9)设置在槽(8)中，作为冷却结构，具有：第1树脂组合物，其填充在槽(8)中，并覆盖线圈(9)；和在旋转轴方向上延伸的线圈内侧冷却用流路(10)，其设置在填充有所述第1树脂组合物的区域，冷却剂在所述线圈内侧冷却用流路(10)的内部循环。

公开(公告)号：CN116601855A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180082500.2

申请日：2021-12-08

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 西川敦准 ,  原田隆博 ,  山本晋也 ,  小坂弥

IPC: H02K15/10

Abstract: 本发明的定子(4)包括具有多个齿部(7)的定子芯、设置于上述齿部(7)之间的用于收纳线圈(9)的槽(8)、和收纳于上述槽(8)的线圈(9)，上述定子具有设置于槽(8)的内表面的由绝缘性树脂组合物构成的树脂层(50)，树脂层(50)的槽(8)内部侧的壁面(内表面树脂层(51)的树脂层表面(55))以与旋转轴方向平行的方式设置，树脂层(50)的树脂组合物含有热固性树脂，热固性树脂的玻璃化转变温度Tg为120℃以上。

公开(公告)号：CN103608907A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280026102.X

申请日：2012-05-29

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 金森直哉 ,  原田隆博 ,  青木千晶 ,  村山龙一

IPC: H01L21/52 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49513 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/295 ,  H01B1/22 ,  H01L2224/83855

Abstract: 根据本发明，提供导电性良好的半导体装置。本发明的半导体装置（10）具备：基材（2）；半导体元件（3）；和介于基材（2）与半导体元件（3）之间，将两者粘接的粘接层（1）。该半导体装置（10），在粘接层（1）中分散有金属颗粒和绝缘颗粒，金属颗粒具有鳞片形状或椭球形状。在将粘接层（1）中的金属颗粒的体积含有率设为a，并将粘接层（1）中的绝缘颗粒的体积含有率设为b时，粘接层（1）中的填料的体积含有率（a＋b）为0.20以上0.50以下，填料中的金属颗粒的体积含有率a/（a＋b）为0.03以上0.70以下。

公开(公告)号：CN101031606A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580033197.8

申请日：2005-09-29

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 榎尚史 ,  和泉笃士 ,  山本裕美子 ,  原田隆博

IPC: C08G73/10 ,  C09D179/04 ,  C08G73/22

CPC classification number: C08L79/08 ,  C08L79/04 ,  C09D179/04 ,  C09D179/08 ,  H01L51/052

Abstract: 本发明通过包含具有以通式(1)表示的结构的化合物的树脂组合物，提供一种在热处理后，具有高耐热性、低介电常数的树脂组合物、其清漆以及采用它的半导体装置。[式(1)中，Ar表示芳香基，a表示0或1。R11表示碳原子数为1以上的有机基，其中至少一个为具有脂环式结构的基，当q为2以上的整数时，R11既可以互相相同也可以相异。R1至R5以及R6至R10，在各自的苯环上至少一个是与Ar或R11的结合部位，其它为氢原子、具有脂环式结构的基、碳原子数为1以上10以下的有机基、羟基及羧基中的任意基团，当a为0时，至少一个为表示具有脂环式结构的基。q为1以上的整数。X表示－O－、－NHCO－、－CONH－、－COO－以及OCO－中的任意基团]。

公开(公告)号：CN118160198A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280071485.6

申请日：2022-10-21

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 小坂弥 ,  山本晋也 ,  西川敦准 ,  原田隆博

IPC: H02K9/19 ,  H02K11/30

Abstract: 本发明的定子具有轭部、从轭部伸出的齿部、收纳于齿部之间所形成的槽内的线圈、和对线圈进行冷却的冷却水路(200)，冷却水路(200)具有：线圈内水路(301)，其配置于轴向的一端到另一端之间，用于对线圈进行冷却；和集管水路(310)，其与多个上述线圈内水路(301)连结且配置于线圈外，用于对向线圈内水路(301)导入的冷却水进行分配或者将从线圈内水路(301)排出的冷却水汇集。将线圈内水路(301)的截面积的合计设为S1、将集管水路(310)中的与冷却水的移动方向垂直的面的截面积设为S2时，S1与S2之比S2/S1为0.5以上。

公开(公告)号：CN103608907B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201280026102.X

申请日：2012-05-29

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 金森直哉 ,  原田隆博 ,  青木千晶 ,  村山龙一

IPC: H01L21/52 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49513 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 根据本发明，提供导电性良好的半导体装置。本发明的半导体装置（10）具备：基材（2）；半导体元件（3）；和介于基材（2）与半导体元件（3）之间，将两者粘接的粘接层（1）。该半导体装置10），在粘接层（1）中分散有金属颗粒和绝缘颗粒，金属颗粒具有鳞片形状或椭球形状。在将粘接层（1）中的金属颗粒的体积含有率设为a，并将粘接层（1）中的绝缘颗粒的体积含有率设为b时，粘接层（1）中的填料的体积含有率（a＋b）为0.20以上0.50以下，填料中的金属颗粒的体积含有率a/（a＋b）为0.03以上0.70以下。

公开(公告)号：CN102471407A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032805.4

申请日：2010-06-25

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 中嶋道男 ,  齐藤英纪 ,  原田隆博 ,  松谷美帆子 ,  多田昌弘 ,  中谷浩司

IPC: C08F138/00 ,  C08F136/00 ,  C08L49/00 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的成膜用组合物是含有具有聚合性官能团的聚合性化合物的成膜用组合物；所述聚合性化合物在分子内具有含有金刚烷型的笼形结构的部分结构和有助于聚合反应的聚合性反应基团；所述聚合性反应基团具有芳香环和直接键合于该芳香环的乙炔基或者乙烯基；在所述聚合性化合物中，相对于该聚合性化合物整体的碳数，来源于所述芳香环的碳数为15％～38％。