半导体装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106062950A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201580012369.7

    申请日:2015-01-15

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,具有:半导体元件;第一板状部,其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接,并具备从侧面突起的第一接头部,且由导电体构成;第二板状部,其具备从侧面突起的第二接头部,且由导电体构成,所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置,且经由导电性的接合材料而被电连接,在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处,设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。

    半导体装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103843135B

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201180073852.8

    申请日:2011-09-29

    Abstract: 本发明以提供一种抑制了半导体元件与电极的疲劳断裂的半导体装置为课题。半导体装置包括:第一金属板;多个半导体元件,其被安装在所述第一金属板上;隔板,其被连接于所述多个半导体元件的、与安装于所述第一金属板上的安装面相反的一侧的面上;第二金属板,其被连接于所述隔板的、与连接于所述半导体元件上的连接面相反的一侧的面上;密封树脂,其在所述第一金属板与所述第二金属板之间对所述多个半导体元件进行密封,与在所述多个半导体元件之间以外的部位处因所述密封树脂中产生的收缩而引起的应力相比,在所述多个半导体元件之间因所述密封树脂中产生的收缩而引起的应力更被缓和。

    半导体装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103871989A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201310654629.3

    申请日:2013-12-06

    Inventor: 门口卓矢

    Abstract: 半导体装置。根据本发明的半导体装置(1)包括:平板形式的半导体元件(2),所述半导体元件具有相对的第一表面和第二表面;绝缘层(6),所述绝缘层覆盖位于半导体元件(2)的第一表面侧上的控制布线(4);金属块(8),所述金属块经由焊料层接合到半导体元件(2)的第一表面侧;和保护膜(7a),所述保护膜形成在金属块(8)和绝缘层(6)之间,所述保护膜(7a)的硬度等于或者大于金属块(8)的硬度。当从第一表面侧观察时,保护膜(7a)形成在至少包括金属块(8)的边缘部分和控制布线(4)相互交叉的位置的区域中。

    半导体模块
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103081098A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201080068904.8

    申请日:2010-09-02

    Abstract: 半导体模块(1、2、3、4、5)包括:半导体元件(10);布线部件(20、22),其与半导体元件相连接;冷却板(50、501、502、503、504),其为具有半导体元件侧的第一面、和与该第一面为相反侧的第二面的冷却板(50、501、502、503、504),且在第一方向(Y)上的端部处具有结合部(52、521、522、524a+524b);模压部(60),其通过在半导体元件(10)、布线部件(20、22)及冷却板上模压树脂而形成,冷却板的结合部(52、521、522、524a+524b)从模压部中露出,并且,布线部件的端子以在与第一方向(Y方向)大致垂直的第二方向(X方向)上延伸的方式而从模压部中露出。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN111435646A

    公开(公告)日:2020-07-21

    申请号:CN202010027816.9

    申请日:2020-01-10

    Inventor: 门口卓矢

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制用于半导体装置的部件表面的金属的扩散的技术。公开一种具有包含半导体元件在内的多个部件的半导体装置的制造方法。制造方法包括下述工序:配置工序,将多个部件的其中一个即第一部件的一个表面、和多个部件中的另一个即第二部件的一个表面,隔着锡(Sn)类焊料相对配置;以及热处理工序,通过使Sn类焊料熔融及凝固,而将第一部件和第二部件接合。第一部件的至少一个表面由镍(Ni)类金属构成,第二部件的至少一个表面由铜(Cu)构成。

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