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公开(公告)号：CN1841800A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067005.1
申请日：2006-03-31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
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公开(公告)号：CN100461475C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610067005.1
申请日：2006-03-31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃-550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
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公开(公告)号：CN1983555B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610162260.4
申请日：2006-12-13
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。
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公开(公告)号：CN1983555A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610162260.4
申请日：2006-12-13
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。
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公开(公告)号：CN100452463C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610167238.9
申请日：2006-12-12
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L25/167 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光元件，包含：氧化镓衬底，在其正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和衬底保护层，其形成在所述氧化镓衬底的背面上。一种制造发光元件的方法，包括以下步骤：在氧化镓衬底的背面上形成衬底保护层；在氧化镓衬底的正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和组装发光元件，以形成用于发光元件部分的电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983653A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610167238.9
申请日：2006-12-12
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L25/167 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光元件，包含：氧化镓衬底，在其正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和衬底保护层，其形成在所述氧化镓衬底的背面上。一种制造发光元件的方法，包括以下步骤：在氧化镓衬底的背面上形成衬底保护层；在氧化镓衬底的正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和组装发光元件，以形成用于发光元件部分的电连接。
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公开(公告)号：CN104245883B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201380020816.4
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体及其制造方法以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供激励光的波长为460nm时的25℃的量子效率是92％以上、包括以YAG晶体为母晶体的单晶的荧光体。
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公开(公告)号：CN105283526A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480013345.9
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 提供发出以往没有的颜色的荧光的YAG系单晶荧光体以及具备该单晶荧光体的含荧光体构件和发光装置。作为一实施方式，提供一种单晶荧光体，其具有用组分式(Y1-a-bLuaCeb)3+cAl5-cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，-0.016≤c≤0.315)表示的组分，激励光的峰值波长为450nm且温度为25℃时的发光光谱的CIE色度坐标x、y满足-0.4377x+0.7384≤y≤-0.4585x+0.7504的关系。
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公开(公告)号：CN102418865B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110382002.8
申请日：2007-05-02
Applicant: 株式会社光波
IPC: F21S2/00 , F21V7/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/58 , G02B19/0028 , G02B19/0066 , G02B19/0071 , G02F1/133603 , G02F2001/133612 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有通用性，能够简化安装作业、降低制造成本，并且可充分抑制发光不均和色不均的发生的光源模块、面发光组件以及面发光装置。光源模块具有光方向转换用光学元件(29)、和LED(28)，该光方向转换用光学元件(29)具有：具有入射光的光入射面(29A)的凹部(290)、反射从光入射面(29A)入射的光的光反射面(29B)、和把在光反射面(29B)反射的光向侧方射出的光射出面(29C)，该LED(28)被留有空隙地配置在光方向转换用光学元件(29)的凹部(290)中，向光入射面(29A)入射光。
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公开(公告)号：CN1474466A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03138280.0
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
CPC classification number: H01L33/42 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/06102 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明提供一种发光元件及其制造方法，利用该方法能够得到从可见区透过紫外区光的无色透明的导电体，该导电体可用于基板作为垂直结构，可将基板一侧作为取光面。在可控制的气体保护高温炉中设置坩埚(6)，坩埚(6)中装有原料熔液(9)和具有缝隙(8a)的缝模(8)，原料熔液(9)利用毛细管现象连续沿缝隙(8a)上升到熔液表面，通过缝模(8)和坩埚(6)，用EFG法培养截面形状与上述缝模(8)的上面相同的单晶体，如此将原料熔液(9)制造成基板。在该基板上，用MOCVD法生长III－V族、II－VI族、或两者的薄膜。
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