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公开(公告)号：CN100452463C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610167238.9
申请日：2006-12-12
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L25/167 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光元件，包含：氧化镓衬底，在其正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和衬底保护层，其形成在所述氧化镓衬底的背面上。一种制造发光元件的方法，包括以下步骤：在氧化镓衬底的背面上形成衬底保护层；在氧化镓衬底的正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和组装发光元件，以形成用于发光元件部分的电连接。
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公开(公告)号：CN1983653A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610167238.9
申请日：2006-12-12
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L25/167 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光元件，包含：氧化镓衬底，在其正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和衬底保护层，其形成在所述氧化镓衬底的背面上。一种制造发光元件的方法，包括以下步骤：在氧化镓衬底的背面上形成衬底保护层；在氧化镓衬底的正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和组装发光元件，以形成用于发光元件部分的电连接。
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公开(公告)号：CN101030614A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710003186.6
申请日：2007-02-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007
Abstract: 一种具有发光元件部分的发光元件，所述发光元件部分有Ⅲ族氮化物基化合物半导体形成并具有发光层。在发光元件部分生长在衬底上之后，通过湿腐蚀剥离衬底来形成发光元件部分。发光元件部分具有剥离表面，其如同发光元件部分在衬底上生长时所形成的那样保持基本完好无损。
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公开(公告)号：CN1983555B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610162260.4
申请日：2006-12-13
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。
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公开(公告)号：CN1983555A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610162260.4
申请日：2006-12-13
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1841800A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067005.1
申请日：2006-03-31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
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公开(公告)号：CN103165802B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210541310.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体发光器件。所述发光器件具有：包括由第III族氮化物半导体形成的p型层、发光层以及n型层的半导体层；以及在n型层上的n型电极。所述器件还具有：沿着半导体层的外周延伸并且将半导体层设置有台面形状的器件隔离沟槽；以及连续地设置在第一区域至第三区域上的绝缘膜，第一区域是n型层的外周区域，第二区域是沟槽的侧表面，以及第三区域是器件隔离沟槽的底表面。n型电极包括导线线状部和两个焊垫部。外周导线线状部形成为完全符合所述器件的外周的框。外周导线线状部的一部分设置在n型层上，其剩余部分设置在绝缘膜的第一区域上。
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公开(公告)号：CN103489999A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310228235.1
申请日：2013-06-08
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0075
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。具体而言，提供了一种包括覆盖层和接合层的第III族氮化物半导体发光器件，该器件意在抑制驱动电压的增加；还提供了一种用于制造该发光器件的方法。第III族氮化物半导体发光器件包括半导体层、p电极以及在p电极的与半导体层相反的表面上形成的覆盖层。覆盖层通过在p电极上依次堆叠粘合层和第一金属覆盖层而形成。粘合层由具有-500kJ/摩尔至-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能的材料形成。第一金属覆盖层具有高于-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能。
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公开(公告)号：CN103165802A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210541310.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体发光器件。所述发光器件具有：包括由第III族氮化物半导体形成的p型层、发光层以及n型层的半导体层；以及在n型层上的n型电极。所述器件还具有：沿着半导体层的外周延伸并且将半导体层设置有台面形状的器件隔离沟槽；以及连续地设置在第一区域至第三区域上的绝缘膜，第一区域是n型层的外周区域，第二区域是沟槽的侧表面，以及第三区域是器件隔离沟槽的底表面。n型电极包括导线线状部和两个焊垫部。外周导线线状部形成为完全符合所述器件的外周的框。外周导线线状部的一部分设置在n型层上，其剩余部分设置在绝缘膜的第一区域上。
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公开(公告)号：CN100530725C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710003186.6
申请日：2007-02-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007
Abstract: 一种具有发光元件部分的发光元件，所述发光元件部分有III族氮化物基化合物半导体形成并具有发光层。在发光元件部分生长在衬底上之后，通过湿腐蚀剥离衬底来形成发光元件部分。发光元件部分具有剥离表面，其如同发光元件部分在衬底上生长时所形成的那样保持基本完好无损。
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