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公开(公告)号：CN119855321A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411429564.7
申请日：2024-10-14
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/824 , H10H20/841 , H10H20/831
Abstract: 提供提高了光输出和寿命的发光元件和发光装置。在使用包含Al的III族氮化物半导体且具有200nm～280nm的发光波长的发光元件(1)中，具有：基板(10)；半导体层，其在基板(10)之上依次层叠有n型层(11)、发光层(12)、p型层(14)；孔(23)，其设置于p型层(14)表面的预定区域，且具有到达n型层(11)的深度；p侧电极(15)，其在p型层(14)之上与该p型层(14)接触地设置，且发光波长的紫外光的反射率为50％以上；以及n侧电极(16)，其设置于在孔(23)的底面暴露的n型层(11)之上或上方。孔(23)和n侧电极(16)具有二维排列的多个点的图案，p侧电极(15)的面积为0.75mm2以上。
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公开(公告)号：CN119730503A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411134986.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/84
Abstract: 提供能够提高光提取效率的面朝上型紫外发光的发光元件和用于发光元件的绝缘性反射防止层。发光元件(1)是面朝上型紫外发光的发光元件，且具备：n型层(21)，其由n型III族氮化物半导体形成；活性层(22)，其设置在n型层(21)之上且由III族氮化物半导体形成；p型层(23)，其设置在活性层(22)之上且由p型III族氮化物半导体形成；p侧电极(50)，其设置在p型层(23)的局部之上；以及绝缘性反射防止层(60)，其设置在p型层(23)的另一处局部之上，且由具有绝缘性的材料形成，且防止发光波长的紫外光的反射。
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公开(公告)号：CN118367076A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410041406.8
申请日：2024-01-11
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供适合于发射紫外光的具有保护膜的由III族氮化物半导体构成的发光元件。一种发光波长为200～280nm且由包含Al的III族氮化物半导体构成的发光元件，具有：p侧电极15，其接触地设置于p型层14上，具有Ru层；n侧电极16，其设置于在孔23的底面露出的n型层11上；以及保护膜18，其覆盖整个元件上表面，是依次层叠有由SiO2构成的第一保护膜18A和由SiN构成的第二保护膜18B的结构。
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公开(公告)号：CN119967963A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411575568.6
申请日：2024-11-06
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/831
Abstract: 提供实现光输出的提高和正向电压的减少的正面朝上型且紫外发光的发光元件。在正面朝上型且发光波长为210nm～300nm且使用了III族氮化物半导体的发光元件中，具备：n型层(11)、设置在n型层之上的活性层(12)、设置在活性层之上的p型层(13)、设置在n型层之上的梳齿状的n侧电极(17)、在p型层之上与该p型层接触地设置且使发光波长的光透过的p侧接触电极(14)、以及设置在p侧接触电极之上的梳齿状的p侧电极(15)，p侧电极具备沿预定方向延伸的多个p侧延伸部(15A)，n侧电极具备沿预定方向延伸且配置于相邻的p侧延伸部之间的多个n侧延伸部(17A)，p侧延伸部与n侧延伸部之间的距离为140μm以下。
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公开(公告)号：CN119677257A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411127986.9
申请日：2024-08-16
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/832 , H10H20/841 , H10H20/01
Abstract: 提供能够供p侧电极欧姆接触并且能够提高紫外线反射率的发光元件及其制造方法。倒装型且紫外发光的发光元件具有：n型层，其由n型的III族氮化物半导体构成；活性层，其设置在n型层上且由III族氮化物半导体构成；p型层，其设置在活性层之上且由p型的III族氮化物半导体构成；p侧电极，其设置在p型层之上，包含由Ru、Rh或以它们为主成分的合金构成且与p型层接触的层，并且设定为使发光波长的紫外光透过的厚度；绝缘性的DBR层，其与p侧电极的局部接触并设置于p侧电极的局部之上，且反射发光波长的紫外光；以及第二p侧电极，其经由在DBR层中p侧电极之上的区域形成的孔而与p侧电极电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118507620A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410168791.2
申请日：2024-02-06
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 提供防止保护膜的剥离、裂缝的UVC的发光元件及其制造方法。发光元件由发光波长为200nm以上且280nm以下的III族氮化物半导体构成，具有：基板；防反射膜，其设置于基板背面；半导体层，其是在基板表面上依次层叠n层、发光层、p层而成的；孔，其设置于p层表面的预定的区域，且深度达到n层；第一p电极，其与p层相接地设置在p层之上；第一n电极，其设置于在孔的底面暴露的n层之上；第二p电极和第二n电极，其分别设置在第一p电极之上和第一n电极之上；以及保护膜，其覆盖元件上表面整体，且由绝缘材料构成，保护膜具有：第一保护膜，其由绝缘材料形成；以及第二保护膜，其形成在第一保护膜上，并由具有内部应力与第一保护膜不同的绝缘材料形成。
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公开(公告)号：CN115732602A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211039261.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 水谷浩一
Abstract: 本发明提供一种降低由III族氮化物半导体构成的紫外发光的发光元件中的n层与n电极之间的电阻的发光元件。接触层(14)在反射绝缘膜(19)上沿着孔(22)的底面、侧面、上表面设置。接触层(14)与n层(11)介由多个孔(23)相接。接触层(14)由Si掺杂的n－GaN构成。接触层(14)的下表面与n层(11)接触，上表面与n电极(17)接触。接触层(14)设置在反射绝缘膜(19)上，孔(23)的区域以外不与n电极(17)相接。另一方面，n电极(17)设置在接触层(14)上表面的大致整面。因此，n电极(17)与接触层(14)的接触面积比接触层(14)与n层(11)的接触面积宽。
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公开(公告)号：CN103165802B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210541310.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体发光器件。所述发光器件具有：包括由第III族氮化物半导体形成的p型层、发光层以及n型层的半导体层；以及在n型层上的n型电极。所述器件还具有：沿着半导体层的外周延伸并且将半导体层设置有台面形状的器件隔离沟槽；以及连续地设置在第一区域至第三区域上的绝缘膜，第一区域是n型层的外周区域，第二区域是沟槽的侧表面，以及第三区域是器件隔离沟槽的底表面。n型电极包括导线线状部和两个焊垫部。外周导线线状部形成为完全符合所述器件的外周的框。外周导线线状部的一部分设置在n型层上，其剩余部分设置在绝缘膜的第一区域上。
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公开(公告)号：CN103489999A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310228235.1
申请日：2013-06-08
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0075
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。具体而言，提供了一种包括覆盖层和接合层的第III族氮化物半导体发光器件，该器件意在抑制驱动电压的增加；还提供了一种用于制造该发光器件的方法。第III族氮化物半导体发光器件包括半导体层、p电极以及在p电极的与半导体层相反的表面上形成的覆盖层。覆盖层通过在p电极上依次堆叠粘合层和第一金属覆盖层而形成。粘合层由具有-500kJ/摩尔至-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能的材料形成。第一金属覆盖层具有高于-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能。
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公开(公告)号：CN103165802A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210541310.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体发光器件。所述发光器件具有：包括由第III族氮化物半导体形成的p型层、发光层以及n型层的半导体层；以及在n型层上的n型电极。所述器件还具有：沿着半导体层的外周延伸并且将半导体层设置有台面形状的器件隔离沟槽；以及连续地设置在第一区域至第三区域上的绝缘膜，第一区域是n型层的外周区域，第二区域是沟槽的侧表面，以及第三区域是器件隔离沟槽的底表面。n型电极包括导线线状部和两个焊垫部。外周导线线状部形成为完全符合所述器件的外周的框。外周导线线状部的一部分设置在n型层上，其剩余部分设置在绝缘膜的第一区域上。
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