-
公开(公告)号：CN104220632A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380015350.9
申请日：2013-02-20
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23F1/12
Abstract: 本发明公开一种干洗方法，其特征在于，该干洗方法使用β-二酮去除附着于成膜装置的金属膜，将包含β-二酮与NOx(表示NO、N2O中的至少1个)的气体用作清洁气体，使该清洁气体与处于200℃～400℃的温度范围内的该金属膜反应，从而去除该金属膜。依据该方法，根据附着金属膜的情况产生温度差可以进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN102605344B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210015269.8
申请日：2012-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。
-
公开(公告)号：CN113498547A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202080018047.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L21/28 , H01L21/302
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其是使包含β‑二酮的蚀刻气体与形成于被处理体的表面的金属膜接触而蚀刻所述金属膜的干蚀刻方法，所述方法包括：使包含第1β‑二酮的第1蚀刻气体与上述金属膜接触的第1蚀刻工序；及在上述第1蚀刻工序之后，使包含第2β‑二酮的第2蚀刻气体与上述金属膜接触的第2蚀刻工序，上述第1β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成第1络合物的化合物，上述第2β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成升华点比上述第1络合物低的第2络合物的化合物。
-
公开(公告)号：CN104220632B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201380015350.9
申请日：2013-02-20
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23F1/12
Abstract: 本发明公开一种干洗方法，其特征在于，该干洗方法使用β‑二酮去除附着于成膜装置的金属膜，将包含β‑二酮与NOx(表示NO、N2O中的至少1个)的气体用作清洁气体，使该清洁气体与处于200℃～400℃的温度范围内的该金属膜反应，从而去除该金属膜。依据该方法，根据附着金属膜的情况产生温度差可以进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN112533873A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980052339.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的一实施方式的六氟化钨的制造方法包括如下工序：第1工序，使具有氧化覆膜的钨、与氟气或非活性气体在反应器内接触，得到去除了氧化覆膜的钨，所述氟气或非活性气体包含50体积ppm以上且50体积％以下的氟化氢；及第2工序，使第1工序中去除了氧化覆膜的钨、与含氟气体接触而得到六氟化钨。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103430290A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280011571.4
申请日：2012-01-19
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: B08B9/027 , C23C16/4405
Abstract: 公开一种干洗方法，其使用清洗气体将装置的成膜腔室内或排气配管内所堆积的组成式MgaZnbOHc（0≤a≤1、0≤b≤1、0≤c≤1，并且0.5≤a+b≤1）所表示的组合物去除，所述装置为将组成式MgxZn1-xO（0≤x≤1）所表示的组合物成膜的装置。该方法的特征在于，其使用包含β-二酮的清洗气体，在100℃以上且400℃以下的温度下，使该清洗气体与堆积的该组合物反应，由此将该组合物去除。通过该方法，能够在低温下不打开该装置而将该组合物去除。
-
公开(公告)号：CN102605344A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210015269.8
申请日：2012-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。
-
公开(公告)号：CN111886674B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201980020982.1
申请日：2019-03-05
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302 , C01B7/24 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的目的在于，提供蚀刻速度快且偏差的抑制优异的基板处理用气体、保管其的保管容器和基板处理方法。本发明的基板处理用气体含有IF5和IF7，IF5的含量相对于IF7整体以体积基准计为1ppm以上且2％以下。
-
公开(公告)号：CN111886674A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980020982.1
申请日：2019-03-05
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302 , C01B7/24 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的目的在于，提供蚀刻速度快且偏差的抑制优异的基板处理用气体、保管其的保管容器和基板处理方法。本发明的基板处理用气体含有IF5和IF7，IF5的含量相对于IF7整体以体积基准计为1ppm以上且2％以下。
-
公开(公告)号：CN104213122A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410233504.8
申请日：2014-05-29
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23F1/12
CPC classification number: H01L21/32135 , C23F1/12 , C23F4/02 , H01L21/67034 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供干法刻蚀方法、干法刻蚀装置、金属膜及具有该金属膜的设备，用于使形成与β-二酮进行5或6配位的络合物构造的金属膜的蚀刻速度提高。该干法刻蚀方法使用含有β-二酮在内的蚀刻气体对基板上形成的金属膜进行蚀刻，所述金属膜至少含有一种形成与所述β-二酮进行5或6配位的络合物构造的金属，所述含有β-二酮的蚀刻气体含有H2O及H2O2的任意一种以上的添加剂，该添加剂的体积浓度为1%以上而20%以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.019 seconds)
