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公开(公告)号：CN105866885B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201510031371.0
申请日：2015-01-21
申请人： 南通新微研究院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G02B6/126
摘要： 本发明提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。
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公开(公告)号：CN105652371B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201410664561.1
申请日：2014-11-14
申请人： 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种偏振分束器，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。本发明提供的偏振分束器具有几百纳米的工作带宽和较为简单的加工工艺。
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公开(公告)号：CN105675984B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610033983.8
申请日：2016-01-19
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01R23/16
摘要： 本发明提供一种脉冲波形测试电路，包括：用于收集单粒子轰击产生单粒子瞬态脉冲的脉冲收集模块；与所述脉冲收集模块相连，用于检测所述单粒子瞬态脉冲在不同电压值时的脉冲宽度，并产生多个相应的脉冲信号的脉冲宽度检测模块；与所述脉冲宽度检测模块相连，用于将不同电压值时检测到的脉冲宽度转化为数字信号的脉冲捕捉模块。本发明的脉冲波形测试电路测量出了单粒子效应的真实波形，可以以此建立更精准的单粒子效应瞬态电流脉冲模型，对抗辐射电路的加固设计具有重要参考意义。
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公开(公告)号：CN105866885A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510031371.0
申请日：2015-01-21
申请人： 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G02B6/126
摘要： 本发明提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。
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公开(公告)号：CN102692682A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210193178.3
申请日：2012-06-12
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种光栅耦合器及其制作方法，提供一SOI衬底，刻蚀所述SOI衬底的顶层硅，形成周期为500~800nm的耦合光栅，同时于所述顶层硅中隔出CMOS有源区；于所述耦合光栅上制作覆盖于所述耦合光栅及CMOS有源区的栅氧化层；于所述栅氧化层表面形成导电层，刻蚀所述导电层，形成与所述耦合光栅周期相同的覆层结构，同时形成CMOS的栅极结构；最后形成保护层以完成制备。所述耦合光栅、栅氧化层及覆层结构均与CMOS的制备同时完成，可共享掩膜，降低了制作成本；覆盖于栅氧化层上的导电上覆层提高了耦合效率；优化的结构参数使得光栅耦合器的耦合效率显著提高；新颖的光栅耦合器结构使耦合效率对SOI埋氧层厚度的依赖性大为降低，从而放松了对SOI衬底的规格要求。
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公开(公告)号：CN102494988A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110403893.0
申请日：2011-12-07
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件的测试数据对所述顶部区域及底部区域添加不同的等效模拟电荷获得与测试数据拟合的模拟数据，以确定所述等效模拟电荷在所述深亚微米器件模型顶部区域及底部区域的作用，从而确定总剂量辐射效应在所述深亚微米器件原型顶部区域及底部区域的作用。本方法步骤简单，能较准确的模拟深亚微米器件总剂量辐射效应，并能反应总剂量辐射效应对器件不同部位的影响，为器件的抗总剂量辐射效应的加固提供可靠的依据。
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公开(公告)号：CN105608292B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610044468.X
申请日：2016-01-22
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明提供一种模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法，包括：高能粒子射入处于关态的MOS管的沟道区，电离出的大量的电子空穴对在电场的作用下形成瞬态电流脉冲，分析电子空穴对在体漏形成的反偏PN结空间电荷区的漂移过程，建立初步的节点电压恒定不变的漂移电流解析模型I(t)＝I0·(e‑αt‑e‑βt)；通过解析计算得到脉冲峰值I0的表达式；加入描述节点电压变化的模型表征节点电压和瞬态电流之间的关系，所述单粒子瞬态电流脉冲的电流源模型为：本发明的模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法建立的单粒子瞬态电流脉冲的电流源模型能准确拟合单粒子瞬态脉冲的长尾效应，对抗辐射电路的加固设计具有重要参考意义。
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公开(公告)号：CN105629519B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410621547.3
申请日：2014-11-06
申请人： 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，包括平板部和位于所述平板部中间，且高于所述平板部的凸条；所述脊型波导中包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，第一轻掺杂区包括形成在凸条中间，且沿着所述凸条的延伸方向的纵向第一轻掺杂区和至少一个形成在所述凸条和所述平板部上，且与所述凸条相交的横向第一轻掺杂区；第二轻掺杂区和第一轻掺杂区的掺杂类型相反，且形成于第一轻掺杂区外侧的凸条和平板部中，以与第一轻掺杂区构成横向和纵向的PN结。本发明的技术方案中提供的硅基光调制器利用多个横向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区、纵向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区形成PN结，可以增加模场中耗尽区的面积，从而提高硅基光调制器的调制效率。
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公开(公告)号：CN106997402A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610051734.1
申请日：2016-01-26
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5036
摘要： 本发明提供一种单粒子效应多位翻转的电路仿真方法，包括：1）利用verilogA语言对单粒子入射产生电子空穴对的漂移扩散过程进行描述，建立单粒子瞬态脉冲电流源模型；2）将所述单粒子瞬态脉冲电流源模型同时加入到触发器电路的至少两个电路节点上，进行电路仿真；3）若触发器的输出发生翻转，则判定上述至少两个电路节点同时在单粒子瞬态脉冲电流下，会使得触发器电路的输出发生翻转。本发明完美展示了在65nm工艺节点下，触发器电路发生的单粒子多位翻转（MBU）效应，并且将翻转结果生成翻转列表，为电路的设计提供了可靠的指导；本发明可以在标准的电路仿真软件synopsys的hspice和Cadence的Spectre仿真器，中完美运行，具有很强的兼容性。
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公开(公告)号：CN101908472B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201010211441.8
申请日：2010-06-25
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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