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公开(公告)号：CN119805732A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410018925.2
申请日：2024-01-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光噪声抑制器、制作方法及应用，该光噪声抑制器包括基底、压电驱动结构和顶盖，基底中设置有垂向贯穿基底的避空空间，避空空间中设置有光栅结构，光栅结构与基底通过悬臂梁结构连接；压电驱动结构位于悬臂梁结构上方，压电驱动结构包括自下而上层叠的底电极金属层、压电薄膜层和顶电极金属层；顶盖位于基底上方与基底键合连接，顶盖的下表面设有反射层，反射层在基底上的投影覆盖光栅结构，其中，于压电驱动结构施加电压后能够带动悬臂梁结构发生形变，进而改变光栅结构与顶盖之间的距离。本发明中通过电压驱动能够精准调控光栅结构和反射层之间的间距，可对参考光强进行调控和实时监测，具有全自动化和高精度的优势。
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公开(公告)号：CN119191686A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411307983.3
申请日：2024-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种球形玻璃结构的制备方法，通过在浅凹槽中添加呈片状的固体释气剂薄片，利用该固体释气剂薄片在升温时释放出的气体驱动玻璃片热成型，形成了晶圆级的球形玻璃结构。该方法工艺流程简单，操作便捷，可精确定量，确保了球形玻璃结构的一致性，特别适合于大规模工业化生产。同时，本发明不仅可以精确控制固体释气剂薄片的质量，灵活调整其中释气剂粉末的含量，制备出所需尺寸的球形玻璃结构，而且能够获得与原始抛光的玻璃片相近或者更低粗糙度的球形玻璃结构。此外，本发明的球形玻璃结构的制备方法具有生产成本低，可靠性高，环境污染小等优点，符合当前大规模生产对于高效、低耗、环保的严格要求，以及超净室的高清洁度标准。
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公开(公告)号：CN119191686B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411307983.3
申请日：2024-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种球形玻璃结构的制备方法，通过在浅凹槽中添加呈片状的固体释气剂薄片，利用该固体释气剂薄片在升温时释放出的气体驱动玻璃片热成型，形成了晶圆级的球形玻璃结构。该方法工艺流程简单，操作便捷，可精确定量，确保了球形玻璃结构的一致性，特别适合于大规模工业化生产。同时，本发明不仅可以精确控制固体释气剂薄片的质量，灵活调整其中释气剂粉末的含量，制备出所需尺寸的球形玻璃结构，而且能够获得与原始抛光的玻璃片相近或者更低粗糙度的球形玻璃结构。此外，本发明的球形玻璃结构的制备方法具有生产成本低，可靠性高，环境污染小等优点，符合当前大规模生产对于高效、低耗、环保的严格要求，以及超净室的高清洁度标准。
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公开(公告)号：CN119108343A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411246205.8
申请日：2024-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，衬底包括相对设置的顶面和底面；自所述顶面至底面方向，在所述衬底中形成环形凹槽，位于所述环形凹槽中间为所述衬底形成的低阻硅柱；对所述环形凹槽进行第一填充：提供第一填充液，将所述第一填充液填充在所述环形凹槽内；将所述第一填充液进行固化以形成第一绝缘层；对所述环形凹槽进行第二填充：提供第二填充物，将所述第二填充物填充在形成第一绝缘层的所述环形凹槽内。该制作方法能够获得可靠性和完整性更好的具有低阻硅TSV结构的半导体，并且工艺简单，适用于不同规模的生产环境。
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公开(公告)号：CN116779207A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210226292.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G21K3/00
Abstract: 本发明提供一种聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体基底，并于半导体基底的正面依次形成介质层及聚酰亚胺薄膜层；于聚酰亚胺薄膜层上形成阻挡层；于阻挡层上形成第一图形化的光刻胶层，得到薄膜外轮廓的光刻图形；基于第一图形化的光刻胶层依次刻蚀阻挡层、聚酰亚胺薄膜层及介质层；于半导体基底的背面形成第二图形化的光刻胶层，得到薄膜内轮廓的光刻图形；基于第二图形化的光刻胶层采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀半导体基底，形成刻蚀窗口；基于刻蚀窗口，采用干法刻蚀工艺去除介质层，得到聚酰亚胺薄膜被动滤光器件。采用该制备方法可有效提高聚酰亚胺薄膜的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115376906A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211139534.3
申请日：2022-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L41/187 , H01L41/332 , H01L41/39
Abstract: 本发明提供一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法，采用第一腐蚀液及第二腐蚀液，分别针对锆钛酸铅薄膜中的不同组元进行两步刻蚀，各步骤之间相对独立，易于操作控制不同组元的刻蚀速率，在提高刻蚀速率的同时，保证不同组元刻蚀速率的平衡；其中，将F‑的使用全部控制在采用第一腐蚀液的第一刻蚀中，在保证刻蚀效果的同时最大限度降低由F‑带来的侧侵蚀问题和对光刻胶的消耗问题，该湿法刻蚀方法有高精度的图形转移能力，侧侵蚀比小于1:1，为锆钛酸铅薄膜在MEMS领域的使用提供了一种有效的加工方法。本发明可提供高良率和高质量的图形化锆钛酸铅薄膜，能够满足MEMS制造中对锆钛酸铅薄膜图形化的工艺要求，设备及工艺条件简单，易于产能拓展。
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公开(公告)号：CN116936460A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310935417.6
申请日：2023-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆的上表层设有第一键合层；提供一第二晶圆，所述第二晶圆的下表层设有第二键合层；将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行键合，键合后，所述第一键合层与所述第二键合层构成的叠层结构中至少包括第一截止层、第二截止层。本发明通过硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法制作得到的硅基绝缘体上玻璃衬底结构，采用所述第一截止层、所述第二截止层构成的双截止层结构作为所述硅基绝缘体上玻璃衬底结构的刻蚀截止层，解决了硅玻璃键合晶圆图形化时无法获得高质量平整的玻璃界面的问题。
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公开(公告)号：CN116931255A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210351648.8
申请日：2022-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/10
Abstract: 本发明提供一种大偏转角的光偏转器件，由中心向外依次包括：反射平面，两个第一柔性连接装置，两个第一致动传感装置，解耦平面，四个第二柔性连接装置及两个第二致动传感装置；每个第一柔性连接装置的一端与反射平面的边缘连接；两个第一致动传感装置的一端分别与两个第一柔性连接装置的另一端连接；每个第一致动传感装置均包括第一及第二致动传感器；解耦平面的一端与两个第一致动传感装置的另一端连接；每个第二柔性连接装置的一端与解耦平面的另一端边缘连接；每个第二致动传感装置分别与两个第二柔性连接装置的另一端连接；反射平面、第一致动传感装置、解耦平面及第二致动传感装置均相互平行。该光偏转器件可有效提高反射平面的偏转角。
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公开(公告)号：CN114415365B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210112102.7
申请日：2022-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS光学偏转器件，包括：基座、2N个悬臂梁致动器、2N个耦合结构及反射微镜，其中N≥1；每个悬臂梁致动器包括：致动器衬底、致动结构、第一柔性结构；基座与致动器衬底固定连接；致动结构与致动器衬底连接；第一柔性结构与致动器衬底固定连接；第一柔性结构与一个耦合结构固定连接；2N个耦合结构固定连接于反射微镜的下方；2N个悬臂梁致动器沿周向分布于反射微镜的下方周围，且每两个悬臂梁致动器沿直线分布。通过在每一个第一柔性结构的一端均设置一个耦合结构，当沿直线分布的两个悬臂梁致动器同时产生致动力使反射微镜旋转时，两个悬臂梁致动器的旋转轴与反射微镜共轴，光的入射点在偏转过程中不会发生偏移。
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公开(公告)号：CN119008515A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310582508.6
申请日：2023-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L21/3213 , B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种具有TSV结构的半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一包括相对设置的顶面及底面的晶圆，晶圆中设有多个在水平方向上间隔排列且自晶圆的顶面开口并向晶圆的底面方向延伸的孔状结构；形成覆盖晶圆的顶面及孔状结构的内壁的导电层；形成金属层于导电层表面，金属层包括填充于孔状结构中的导电柱及位于导电柱上方并与导电柱连接的金属薄膜；进行电解腐蚀以去除金属薄膜；去除导电层位于孔状结构以外的部分。该制作方法能够获得高良率高质量的具有TSV结构的半导体结构，并且工艺速率高、工艺条件简单且成本低廉，易于产能拓展。该半导体结构性能相对优良且能够实现大规模低成本生产。
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