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公开(公告)号：CN104319316B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410608127.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L27/142 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提出了一种高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源集成芯片的制备方法，该方法采用了硅薄膜外延技术，克服了CMOS集成电路和太阳电池对硅材料掺杂浓度要求不同之间的矛盾；太阳电池采用本征非晶硅层/N型非晶硅层/透明导电膜异质结结构，提高了开路电压和转换效率，有利于提高芯片有效面积和集成度；利用了SOI材料中埋氧层的钝化和光学特性，可以提高薄膜晶硅太阳电池性能。该集成技术中，采用了两次ITO技术，克服了高温热处理对太阳电池性能，特别是开路电压的影响。本发明的制备方法与CMOS工艺具有兼容性，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103820767A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310736927.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h。在不同温度下对非晶硅薄膜进行退火处理后，薄膜的氢含量从10%降低到1.4%，从而使通过铝诱导制备的多晶硅薄膜表面干滑完整。本发明可在较低温度和较短时间内制备高质量的多晶硅薄膜。相比于传统AIC制备多晶硅的方法，本发明在AIC之前加了一个退火除氢步骤，可有效的控制前驱体a-Si:H中的氢含量，有利于制备更大晶粒尺寸，应力更小，表面更加平滑完整的多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN103107212A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310041792.2
申请日：2013-02-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上的金属栅线，并且其中的金属栅线至少包括：位于所述的透明导电层之上的金属种子层，以及依次位于金属种子层上面的金属电极，所述的金属电极依次至少包括以下所述多个金属层中一层、两层或三层的组合：金属粘合层、金属传导层和金属焊接层，金属传导层是必须有的。本发明实施例提供了用于异质结太阳电池金属电极的方法，具有低成本，与现有HIT太阳电池制备工艺匹配的特点。
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公开(公告)号：CN109004053A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201710416600.X
申请日：2017-06-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/072 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/072 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/1876
Abstract: 本发明提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本发明的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本发明具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。
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公开(公告)号：CN105895746A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610494414.3
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4），进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。本发明的金属栅线处的结构采用透明导电层?金属栅线?介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103137791B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310080782.X
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上面的金属传导层和金属焊接层；②所述的湿法沉积包括：电沉积、光诱导沉积、化学沉积，或是其组合；③所述的低温热处理合金化，以形成良好的接触和粘附特性。本发明的优点是可实现无银或少银的金属栅线，降低成本，且低温下热处理与现有异质结太阳电池制备工艺匹配。总之，本发明无种子层电镀，金属接触层是一种具有特殊的温度特性的金属或合金，能在低于250℃热处理温度下与透明到点膜形成良好的接触与粘附特性。
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公开(公告)号：CN104319316A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410608127.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L27/142 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/202 , H01L31/022425 , H01L31/035272 , H01L31/075 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出了一种高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源集成芯片的制备方法，该方法采用了硅薄膜外延技术，克服了CMOS集成电路和太阳电池对硅材料掺杂浓度要求不同之间的矛盾；太阳电池采用本征非晶硅层/N型非晶硅层/透明导电膜异质结结构，提高了开路电压和转换效率，有利于提高芯片有效面积和集成度；利用了SOI材料中埋氧层的钝化和光学特性，可以提高薄膜晶硅太阳电池性能。该集成技术中，采用了两次ITO技术，克服了高温热处理对太阳电池性能，特别是开路电压的影响。本发明的制备方法与CMOS工艺具有兼容性，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103137791A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310080782.X
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上面的金属传导层和金属焊接层；②所述的湿法沉积包括：电沉积、光诱导沉积、化学沉积，或是其组合；③所述的低温热处理合金化，以形成良好的接触和粘附特性。本发明的优点是可实现无银或少银的金属栅线，降低成本，且低温下热处理与现有异质结太阳电池制备工艺匹配。总之，本发明无种子层电镀，金属接触层是一种具有特殊的温度特性的金属或合金，能在低于250℃热处理温度下与透明到点膜形成良好的接触与粘附特性。
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公开(公告)号：CN105895746B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610494414.3
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4），进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。本发明的金属栅线处的结构采用透明导电层‑金属栅线‑介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。
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公开(公告)号：CN103820767B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310736927.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h。在不同温度下对非晶硅薄膜进行退火处理后，薄膜的氢含量从10%降低到1.4%，从而使通过铝诱导制备的多晶硅薄膜表面干滑完整。本发明可在较低温度和较短时间内制备高质量的多晶硅薄膜。相比于传统AIC制备多晶硅的方法，本发明在AIC之前加了一个退火除氢步骤，可有效的控制前驱体a-Si:H中的氢含量，有利于制备更大晶粒尺寸，应力更小，表面更加平滑完整的多晶硅薄膜。
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