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公开(公告)号：CN106796881B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580054412.6
申请日：2015-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 蚀刻方法包括以下工序：将具有硅和硅锗的被处理基板配置在腔室内；将由H2气体和Ar气体组成的处理气体以激励后的状态向腔室内供给；以及利用激励后的状态的处理气体来相对于硅锗选择性地对硅进行蚀刻。由此，能够相对于硅锗以高选择比对硅进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN105122432A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480022312.0
申请日：2014-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN115483098A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210647736.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，使蚀刻后的含锗膜的形状成为期望的形状。所述蚀刻方法包括以下工序：将基板保存到处理容器内的工序，所述基板具备由是含锗膜的侧壁构成的凹部；蚀刻工序，向所述处理容器内供给包含第一含氟气体和第二含氟气体的蚀刻气体，来对所述侧壁进行蚀刻；以及形状控制工序，其包含于所述蚀刻工序，在该形状控制工序中，调整该处理容器内的所述第一含氟气体的分压或者向所述处理容器内供给的所述第二含氟气体相对于该第一含氟气体的流量的比例，来控制蚀刻后的所述侧壁的形状。
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公开(公告)号：CN115483097A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210574998.0
申请日：2022-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置，抑制蚀刻后的硅膜的表面粗糙度。实施以下工序：第一工序，向在表面形成有硅膜且被设为第一温度的基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，使所述硅膜的表面改性而生成反应产物；以及第二工序，在所述第一工序之后，将所述基板设为第二温度来去除所述反应产物。
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公开(公告)号：CN115461842A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180030195.2
申请日：2021-04-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 在向基板供给蚀刻气体来对表面进行蚀刻的蚀刻方法中，实施以下工序：保护工序，向设置有含有氧的硅膜的所述基板供给胺气，来在所述含有氧的硅膜的表面形成用于防止被所述蚀刻气体蚀刻的保护膜以进行保护；以及第一蚀刻工序，向所述基板供给所述胺气以及作为所述蚀刻气体之一的第一蚀刻气体，来对所述含有氧的硅膜进行蚀刻，其中，所述第一蚀刻气体是含氟气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110071040A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910054586.2
申请日：2019-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻的蚀刻方法。向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对第1SiGe系材料和第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN112530800B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010926933.9
申请日：2020-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和基板处理系统。[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN111755329B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010200967.X
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，具体来说，[课题]防止蚀刻气体通过多孔膜的孔部而使蚀刻非对象膜被蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对基板供给蚀刻气体，对设置于该基板的含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下工序：胺气体供给工序，对依次相邻地设有前述含硅膜、多孔膜、对前述蚀刻气体具有被蚀刻性的蚀刻非对象膜的基板供给胺气体，使胺吸附于前述多孔膜的形成孔部的孔壁；和，蚀刻气体供给工序，对前述孔壁上吸附有胺的基板供给用于对前述含硅膜进行蚀刻的蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN110942985B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910649138.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置及存储介质。本发明的课题是提供：在表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板中，能够抑制对Si的损伤而选择性地蚀刻SiGe或Ge的技术。本发明的蚀刻方法具备如下工序：设置表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板的工序；和，将包含含氟气体和含氢气体的处理气体供给至基板，相对于Si选择性地蚀刻SiGe或Ge的工序。
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公开(公告)号：CN110476225B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201880022445.6
申请日：2018-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种在相对于Si层、SiO2层以及SiN层中的至少一种层选择性地对形成于晶圆的SiGe层进行蚀刻时使蚀刻量一致的技术。在交替地层叠的SiGe层(100)和Si层(101)在凹部(103)内露出的晶圆(W)中通过侧向蚀刻对SiGe层HF气体。因此，各SiGe层(100)的蚀刻速度变得均匀，能够使各SiGe层(100)的蚀刻量一致。(100)进行蚀刻时，向晶圆W同时供给ClF3气体和
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