公开(公告)号：CN1472819A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03110247.6

申请日：2003-04-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 洼田睦 ,  木村雅俊

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14806

Abstract: 设置金属布线层(2)、多个金属栓(3)、金属布线层(4)、多个金属栓(5)、金属布线层(6)、多个金属栓(7)及金属布线层(8)，使之包围位于对光电变换元件(1)的半导体衬底(10)的主表面垂直的方向的空间。由这些金属部形成光路。由于该光路反射从外部入射的入射光，能够抑制成使得该入射光不至漏泄到其它的光电变换元件上。得到能够抑制在相邻的像素彼此之间产生了颜色的离散或者颜色的洇渗的不良现象的固体摄像元件。

公开(公告)号：CN1135618C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN97114574.1

申请日：1997-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊 ,  东谷惠市 ,  大野多喜夫

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在多层布线结构的半导体装置中降低从层间绝缘膜加到金属布线上的应力，从而防止接触孔内的金属隆起。在作为基底的层间绝缘膜7的表面上形成金属布线2，对应力值高的TEOS氧化膜5、SOG膜3和应力值低的TEOS氧化膜6进行层叠，将其作为层间绝缘膜。其后，形成接触孔4。

公开(公告)号：CN1444293A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN02154822.6

申请日：2002-12-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊 ,  远藤康行

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L29/66598 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66659 ,  H01L31/035272

Abstract: 本发明的课题是，获得一种不采用倾斜旋转注入和过剩的热扩散而能形成有在栅电极的下方形成的部分的光电二极管的杂质导入区的半导体器件的制造方法。采用照相制版法，在栅极结构15的端部上和与该端部相邻的光电二极管18的形成预定区域上形成有开口的图形的光致抗蚀剂30。其次，将光致抗蚀剂30用作注入掩模，在能量为300～600keV、剂量为1E12～1E14离子/cm2的注入条件下，垂直注入磷等N型杂质31。因此，能在P阱11的上表面内形成N型杂质导入区17。这时，N型杂质31能穿通栅极结构15而到达P阱11内，所以在栅极结构15的下方也能形成N型杂质导入区17。

公开(公告)号：CN1201409C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02154822.6

申请日：2002-12-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊 ,  远藤康行

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L29/66598 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66659 ,  H01L31/035272

Abstract: 本发明的课题是，获得一种不采用倾斜旋转注入和过剩的热扩散而能在栅电极的下方形成光电二极管的杂质导入区的一部分的半导体器件的制造方法。采用照相制版法，在栅极结构15的端部上和与该端部相邻的光电二极管18的预定形成区域上形成有开口的图形的光致抗蚀剂30。其次，将光致抗蚀剂30用作注入掩模，在能量为300～600keV、剂量为1E12～1E14离子/cm2的注入条件下，垂直注入磷等N型杂质31。因此，能在P阱11的上表面内形成N型杂质导入区17。这时，N型杂质31能穿通栅极结构15而到达P阱11内，所以在栅极结构15的下方也能形成N型杂质导入区17。

公开(公告)号：CN1184334A

公开(公告)日：1998-06-10

申请号：CN97114574.1

申请日：1997-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊 ,  东谷惠市 ,  大野多喜夫

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在多层布线结构的半导体装置中降低从层间绝缘膜加到金属布线上的应力,从而防止接触孔内的金属隆起。在作为基底的层间绝缘膜7的表面上形成金属布线2,对应力值高的TEOS氧化膜5、SOG膜3和应力值低的TEOS氧化膜6进行层叠,将其作为层间绝缘膜。其后,形成接触孔4。

公开(公告)号：CN1467856A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03107218.6

申请日：2003-03-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643

Abstract: 不在N－型光电二极管杂质区(10)和N+型浮动扩散杂质区(9)之间的沟道区形成P型沟道参杂杂质区(6)和P－型阻止击穿杂质区(11)。结果，电位壁垒或电位凹陷难以阻挡从N－型光电二极管杂质区(10)向N+型浮动扩散杂质区(9)转送的电荷。结果，容易进行光电二极管杂质区产生的电荷的转送，由此，可以得到一种具有固体摄像元件的半导体装置，该固体摄像元件使用了能抑制因噪声引起的画质变差的电荷转送晶体管。