公开(公告)号：CN1184334A

公开(公告)日：1998-06-10

申请号：CN97114574.1

申请日：1997-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊 ,  东谷惠市 ,  大野多喜夫

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在多层布线结构的半导体装置中降低从层间绝缘膜加到金属布线上的应力,从而防止接触孔内的金属隆起。在作为基底的层间绝缘膜7的表面上形成金属布线2,对应力值高的TEOS氧化膜5、SOG膜3和应力值低的TEOS氧化膜6进行层叠,将其作为层间绝缘膜。其后,形成接触孔4。

公开(公告)号：CN1135618C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN97114574.1

申请日：1997-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊 ,  东谷惠市 ,  大野多喜夫

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在多层布线结构的半导体装置中降低从层间绝缘膜加到金属布线上的应力，从而防止接触孔内的金属隆起。在作为基底的层间绝缘膜7的表面上形成金属布线2，对应力值高的TEOS氧化膜5、SOG膜3和应力值低的TEOS氧化膜6进行层叠，将其作为层间绝缘膜。其后，形成接触孔4。