公开(公告)号：CN1335713A

公开(公告)日：2002-02-13

申请号：CN01117432.3

申请日：2001-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 远藤康行 ,  有马裕 ,  宇井博贵

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/374 ,  H04N5/341 ,  H04N5/365

Abstract: 降低固定图形噪声的半导体摄象器件。在具备把多个具有将光信号变换成电信号的光电二极管3mn和连接到光电二极管3mn的电荷存储部分上的晶体管4mn的象素2mn配置成矩阵状的象素阵列1的半导体摄象器件中,具备缓冲器9n,用来用比上述象素阵列1的电源电压低的控制用电源电压控制晶体管4mn。

公开(公告)号：CN1185865C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN01117432.3

申请日：2001-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 远藤康行 ,  有马裕 ,  宇井博贵

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/374 ,  H04N5/341 ,  H04N5/365

Abstract: 降低固定图形噪声的半导体摄象器件。在具备把多个具有将光信号变换成电信号的光电二极管3mn和连接到光电二极管3mn的电荷存储部分上的晶体管4mn的象素2mn配置成矩阵状的象素阵列1的半导体摄象器件中，具备缓冲器9n，用来用比上述象素阵列1的电源电压低的控制用电源电压控制晶体管4mn。

公开(公告)号：CN1444293A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN02154822.6

申请日：2002-12-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊 ,  远藤康行

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L29/66598 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66659 ,  H01L31/035272

Abstract: 本发明的课题是，获得一种不采用倾斜旋转注入和过剩的热扩散而能形成有在栅电极的下方形成的部分的光电二极管的杂质导入区的半导体器件的制造方法。采用照相制版法，在栅极结构15的端部上和与该端部相邻的光电二极管18的形成预定区域上形成有开口的图形的光致抗蚀剂30。其次，将光致抗蚀剂30用作注入掩模，在能量为300～600keV、剂量为1E12～1E14离子/cm2的注入条件下，垂直注入磷等N型杂质31。因此，能在P阱11的上表面内形成N型杂质导入区17。这时，N型杂质31能穿通栅极结构15而到达P阱11内，所以在栅极结构15的下方也能形成N型杂质导入区17。

公开(公告)号：CN1201409C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02154822.6

申请日：2002-12-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊 ,  远藤康行

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L29/66598 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66659 ,  H01L31/035272

Abstract: 本发明的课题是，获得一种不采用倾斜旋转注入和过剩的热扩散而能在栅电极的下方形成光电二极管的杂质导入区的一部分的半导体器件的制造方法。采用照相制版法，在栅极结构15的端部上和与该端部相邻的光电二极管18的预定形成区域上形成有开口的图形的光致抗蚀剂30。其次，将光致抗蚀剂30用作注入掩模，在能量为300～600keV、剂量为1E12～1E14离子/cm2的注入条件下，垂直注入磷等N型杂质31。因此，能在P阱11的上表面内形成N型杂质导入区17。这时，N型杂质31能穿通栅极结构15而到达P阱11内，所以在栅极结构15的下方也能形成N型杂质导入区17。