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公开(公告)号：CN106059518B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610236702.9
申请日：2016-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制不平衡且适于小型化的放大器。具备：多个第1放大元件，它们在封装件中沿输入侧分配电路设置，具有第1栅极焊盘和第1漏极焊盘；多个第2放大元件，它们在该封装件中沿输出侧合成电路设置，具有第2栅极焊盘和第2漏极焊盘；第1输入导线，其将该输入侧分配电路和该第1栅极焊盘连接；第2输入导线，其将该输入侧分配电路和该第2栅极焊盘连接；第1输出导线，其将该第1漏极焊盘和该输出侧合成电路连接；以及第2输出导线，其将该第2漏极焊盘和该输出侧合成电路连接，该多个第1放大元件和该多个第2放大元件设置为交错状，该第1输入导线和该第2输入导线的长度相等，该第1输出导线和该第2输出导线的长度相等。
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公开(公告)号：CN106059518A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610236702.9
申请日：2016-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68
CPC classification number: H01L23/66 , H01L25/072 , H01L2224/49175 , H03F3/68
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制不平衡且适于小型化的放大器。具备：多个第1放大元件，它们在封装件中沿输入侧分配电路设置，具有第1栅极焊盘和第1漏极焊盘；多个第2放大元件，它们在该封装件中沿输出侧合成电路设置，具有第2栅极焊盘和第2漏极焊盘；第1输入导线，其将该输入侧分配电路和该第1栅极焊盘连接；第2输入导线，其将该输入侧分配电路和该第2栅极焊盘连接；第1输出导线，其将该第1漏极焊盘和该输出侧合成电路连接；以及第2输出导线，其将该第2漏极焊盘和该输出侧合成电路连接，该多个第1放大元件和该多个第2放大元件设置为交错状，该第1输入导线和该第2输入导线的长度相等，该第1输出导线和该第2输出导线的长度相等。
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公开(公告)号：CN104716910A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410782219.1
申请日：2014-12-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/189
CPC classification number: H03F1/0211 , H03F1/223 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/18 , H03F1/22 , H03F3/24
Abstract: 得到一种共射共基放大器，其能够增大电源电压控制范围，并且能够抑制功率附加效率的劣化。晶体管(1)具有漏极、输入信号的栅极以及被接地的源极。晶体管(3)具有栅极、漏极以及与晶体管(1)的漏极连接的源极。负载(4)与晶体管(3)的漏极连接。DC–DC转换器(5)对应于输出功率将可变的电源电压经由负载(4)向晶体管(3)的漏极供给。偏置电路(6)将由电源电压的函数表示的电压向晶体管(3)的栅极供给。
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公开(公告)号：CN107046030B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201710071184.4
申请日：2017-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/772
Abstract: 本发明涉及在微米波频带、毫米波频带使用的场效应晶体管(FET)的静电放电耐性的改善。本发明所涉及的带静电保护二极管的场效应晶体管具有：第1 FET；以及2端子静电保护电路，其连接于第1 FET的第1栅极和第1源极之间，2端子静电保护电路包含：第1二极管，其位于在对第1栅极施加了比第1源极的电位低的电压时被反向偏置侧，具有比第1 FET的第1栅极和第1源极间的反向耐压低的反向耐压；第2二极管，其位于在对第1栅极施加了比前述第1源极的电位低的电压时被正向偏置侧，与第1二极管反向串联连接；以及电阻，其与由第1二极管和第2二极管构成的二极管对串联连接，是使用与第1 FET相同的沟道层而形成的。
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公开(公告)号：CN104769840A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201280076909.4
申请日：2012-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F1/22
CPC classification number: H03F1/223 , H01L23/4824 , H01L23/5223 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L2924/0002 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F2200/222 , H03F2200/315 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/75 , H01L2924/00
Abstract: 多个源极接地晶体管(3)相互并联连接，多个栅极接地晶体管(4)相互并联连接。多个栅极接地晶体管(4)的源极(4s)分别与多个源极接地晶体管(3)的漏极(3d)连接。多个接地焊盘(5)与多个源极接地晶体管(3)的源极(3s)连接。多个接地电容(6)连接在多个栅极接地晶体管(4)的栅极(4g)和接地焊盘(5)之间。在接地焊盘(5)与多个栅极接地晶体管(4)之间交替配置有多个源极接地晶体管(3)和多个接地电容(6)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104113287A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410149400.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/3205 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/192 , H03F2200/195 , H03F2200/204 , H03F2200/207 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/465
Abstract: 本发明目的在于得到一种在不使无效电流等其他特性变化的情况下就能够调整AM-AM特性的功率放大器。分别向偏压端子(T1、T2）供给偏压。晶体管（M1）的栅极与偏压端子（T1）连接，源极接地。晶体管（M2）的栅极与偏压端子（T2）连接，源极与晶体管（M1）的漏极连接。固定电容器（C1）和可变电阻（Rv1）串联连接在晶体管（M2）的栅极和接地点之间。
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公开(公告)号：CN103812455A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310550356.8
申请日：2013-11-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/223
Abstract: 本发明涉及共阴共栅放大器，获得能够抑制起因于布线电阻的输出功率的降低的共阴共栅放大器。晶体管Tr1a~Tr1f分别共阴共栅连接于晶体管Tr2a~Tr2f。布线（Wg1）依次连接于晶体管（Tr1a~Tr1f）的栅极。并联连接的布线（Wg2、Wg3）依次连接于晶体管（Tr2a~Tr2f）的栅极。电容（C1）连接在布线（Wg2）的一端与接地点之间。
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公开(公告)号：CN1286268C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN03104179.5
申请日：2003-02-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03K17/08142 , H03K17/693
Abstract: 提供即使使用比各元件的击穿电压大的电源电压，也可保证各元件的施加电压在击穿电压以下的电流开关电路。电流开关电路包括：互补型电路，连接于第1电源和比第1电源低电位的第2电源之间；一对电流镜像电路，与互补型电路连接；电平移动电路，连接于第1电源和第2电源的其中之一和互补型电路之间，通过流通的电平移动电流向互补型电路施加规定的电压降，另外，响应输入信号，互补型电路将电流镜像电路切换成一方有效另一方无效的状态，而且，第1和第2电流镜像电流中至少一个作为电平移动电流流过电平移动电路。
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公开(公告)号：CN107039356B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201611007713.6
申请日：2016-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/043 , H01L23/552
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/481 , H01L23/4924 , H01L23/66 , H01L2223/6616 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014
Abstract: 实现本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体的宽频带化。本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体具有：导体基座板(1)，在上表面固定有半导体元件(5)；侧壁(2)，在导体基座板之上以包围半导体元件的方式设置，具有与导体基座板电连接的导体部分(2e)；电介体帽(3)，设置于侧壁之上，以与导体基座板和侧壁一起形成内部空间；表面金属膜(9)，设置于电介体帽的外侧的面之上；第1背面金属膜(10b)，设置于电介体帽的内侧的面之上，相对于电介体帽的与导体基座板相向的面，中心大致一致；多个通路孔(11)，以贯通电介体帽的方式设置，对表面金属膜和第1背面金属膜间及表面金属膜和侧壁的导体部分(2e)间分别进行电连接。
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公开(公告)号：CN107046030A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710071184.4
申请日：2017-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/772
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L21/8252 , H01L23/535 , H01L27/0248 , H01L27/0251 , H01L27/0288 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L29/8605 , H01L29/872 , H01L27/0255 , H01L29/772
Abstract: 本发明涉及在微米波频带、毫米波频带使用的场效应晶体管(FET)的静电放电耐性的改善。本发明所涉及的带静电保护二极管的场效应晶体管具有：第1 FET；以及2端子静电保护电路，其连接于第1 FET的第1栅极和第1源极之间，2端子静电保护电路包含：第1二极管，其位于在对第1栅极施加了比第1源极的电位低的电压时被反向偏置侧，具有比第1 FET的第1栅极和第1源极间的反向耐压低的反向耐压；第2二极管，其位于在对第1栅极施加了比前述第1源极的电位低的电压时被正向偏置侧，与第1二极管反向串联连接；以及电阻，其与由第1二极管和第2二极管构成的二极管对串联连接，是使用与第1 FET相同的沟道层而形成的。
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