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公开(公告)号：CN110391806B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910314240.1
申请日：2019-04-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明目的在于针对半导体元件的驱动装置，抑制大型化，并且如果半导体元件的异常消除则迅速重新开始向半导体元件输入驱动信号。半导体元件的驱动装置(1)具备：多个检测电路(21)，对半导体元件的不同种类的异常进行检测；逻辑电路(22)，在至少一个检测电路检测出异常的情况下生成错误信号(Verr)；警报信号生成电路(24、25)，接收错误信号，生成由针对每个检测出异常的检测电路而具有不同的脉宽的1个或多个脉冲构成的警报信号(VFo)；以及保护动作判断电路(23)，基于错误信号以及警报信号，对半导体元件的保护功能是否正在动作进行判断，在判断为保护功能正在动作的情况下，切断向半导体元件的驱动信号的输入。
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公开(公告)号：CN106026692B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610172274.8
申请日：2016-03-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/045 , H01L23/24 , H01L23/50 , H01L23/5386 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L2224/37124 , H01L2224/37144 , H01L2224/40139 , H01L2224/40227 , H01L2224/45624 , H01L2224/45644 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/84205 , H01L2224/85205 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107
Abstract: 半导体模块(10)具有第1电极端子(1)、第2电极端子(2)、第3电极端子(3)、第4电极端子(4)、第5电极端子(5)以及第6电极端子(6)。第1电极端子及第2电极端子沿第1方向(A1)配置。第3电极端子、第4电极端子、第5电极端子以及第6电极端子沿与第1方向(A1)垂直的第2方向(A2)配置。第1电极端子(1)配置于第1方向(A1)和第2方向(A2)相交叉的位置。第4电极端子(4)、第5电极端子(5)及第6电极端子(6)是交流输出端子或交流输入端子。第1电极端子(1)是阳极端子及阴极端子中的一方。第2电极端子(2)及第3电极端子(3)中的至少任意一方是阳极端子及阴极端子中的另一方。
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公开(公告)号：CN115000039A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210129260.3
申请日：2022-02-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/492 , H01L25/07
Abstract: 目的是提供可实现小型化且减小高电位端子与低电位端子间的电感的半导体装置。半导体装置(100)具有：绝缘基板(1)；电路图案(5)，包含在绝缘基板(1)之上设置的低电位电路图案(2)和在绝缘基板(1)之上的与低电位电路图案(2)相邻的区域设置的高电位电路图案(3)；多个半导体芯片(6)，搭载于电路图案(5)之上；低电位端子(7)，一端部与低电位电路图案(2)连接；以及高电位端子(8)，一端部与高电位电路图案(3)连接，高电位端子(8)及低电位端子(7)具有：平板部(8b、7b)，它们构成彼此上下平行地配置的平行平板，在低电位电路图案(2)侧延伸；以及电极部(8c、7c)，它们从绝缘基板(1)凸出。
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公开(公告)号：CN106057743B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201610237132.5
申请日：2016-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/10
Abstract: 目的在于提供能够针对不同大小的基座板共用壳体，基座板的稳定性高的功率半导体模块。本发明的功率半导体模块具有：基座板(2)；绝缘基板(3)，其配置在基座板(2)的第1主面(2A)之上；半导体芯片(4)，其配置在绝缘基板(3)之上；壳体(1)，除了基座板(2)的与第1主面(2A)相对的第2主面(2B)之外，该壳体(1)围绕基座板(2)、绝缘基板(3)及半导体芯片(4)；以及衬垫(6)，其在基座板(2)的外周和壳体(1)的内周之间与两者接触而设置。衬垫(6)具有在与基座板(2)的外周接触时与基座板(2)的侧面(2C)及第1主面(2A)接合的接合面。
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公开(公告)号：CN106057743A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610237132.5
申请日：2016-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/10
CPC classification number: H01L23/049 , H01L23/10 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L2224/48139
Abstract: 目的在于提供能够针对不同大小的基座板共用壳体，基座板的稳定性高的功率半导体模块。本发明的功率半导体模块具有：基座板(2)；绝缘基板(3)，其配置在基座板(2)的第1主面(2A)之上；半导体芯片(4)，其配置在绝缘基板(3)之上；壳体(1)，除了基座板(2)的与第1主面(2A)相对的第2主面(2B)之外，该壳体(1)围绕基座板(2)、绝缘基板(3)及半导体芯片(4)；以及衬垫(6)，其在基座板(2)的外周和壳体(1)的内周之间与两者接触而设置。衬垫(6)具有在与基座板(2)的外周接触时与基座板(2)的侧面(2C)及第1主面(2A)接合的接合面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823636B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210041032.0
申请日：2022-01-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 提供通过设为电感低的电极构造，从而即使在开关元件的高速通断动作时也能够抑制浪涌电压并且能够实现小型化的半导体模块。具有：半导体元件；基板，其搭载半导体元件；散热板，其搭载基板；树脂壳体，其收容基板及半导体元件；以及第1及第2主电流电极，它们供半导体元件的主电流流过，第1及第2主电流电极各自的一端与基板之上的电路图案接合，各自的另一端以凸出至树脂壳体的外部的方式贯通树脂壳体的侧壁而装入，第1及第2主电流电极各自具有至少一部分彼此隔开间隔而平行地重叠的重叠部分，并且各自具有在凸出至树脂壳体的外部的外部凸出部与凸出至树脂壳体的内部的内部凸出部之间设置的倾斜部。
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公开(公告)号：CN119381374A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410980836.6
申请日：2024-07-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L25/07 , H02M7/00 , H02M3/00
Abstract: 涉及半导体装置及电力变换装置。本发明说明书所公开的技术是用于在电极形状具有凹凸的情况下也会有效地使电阻降低的技术。本发明说明书所公开的技术涉及的半导体装置具有：半导体芯片；壳体，其将半导体芯片收容在内部；主电极，其经由导线与半导体芯片电连接，并且一部分从壳体向外部露出；以及导电材料，其涂敷于从壳体露出的主电极的表面，主电极的表面是与汇流条连接的面。
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公开(公告)号：CN113257801B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110162589.5
申请日：2021-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6、7、8)，其设置于绝缘基板(1)之上；缓冲电路用基板(14)，其在绝缘基板(1)之上与电路图案(6、7、8)分离地设置；电阻(15)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的一者；电容器(16)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的另一者；以及半导体元件(9)，其与电阻(15)及电容器(16)电连接。
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公开(公告)号：CN113257801A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110162589.5
申请日：2021-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6、7、8)，其设置于绝缘基板(1)之上；缓冲电路用基板(14)，其在绝缘基板(1)之上与电路图案(6、7、8)分离地设置；电阻(15)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的一者；电容器(16)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的另一者；以及半导体元件(9)，其与电阻(15)及电容器(16)电连接。
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公开(公告)号：CN110391806A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910314240.1
申请日：2019-04-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明目的在于针对半导体元件的驱动装置，抑制大型化，并且如果半导体元件的异常消除则迅速重新开始向半导体元件输入驱动信号。半导体元件的驱动装置(1)具备：多个检测电路(21)，对半导体元件的不同种类的异常进行检测；逻辑电路(22)，在至少一个检测电路检测出异常的情况下生成错误信号(Verr)；警报信号生成电路(24、25)，接收错误信号，生成由针对每个检测出异常的检测电路而具有不同的脉宽的1个或多个脉冲构成的警报信号(VFo)；以及保护动作判断电路(23)，基于错误信号以及警报信号，对半导体元件的保护功能是否正在动作进行判断，在判断为保护功能正在动作的情况下，切断向半导体元件的驱动信号的输入。
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