公开(公告)号：CN115000039B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202210129260.3

申请日：2022-02-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松尾英尧 ,  后藤亮 ,  清水康贵

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07

Abstract: 目的是提供可实现小型化且减小高电位端子与低电位端子间的电感的半导体装置。半导体装置(100)具有：绝缘基板(1)；电路图案(5)，包含在绝缘基板(1)之上设置的低电位电路图案(2)和在绝缘基板(1)之上的与低电位电路图案(2)相邻的区域设置的高电位电路图案(3)；多个半导体芯片(6)，搭载于电路图案(5)之上；低电位端子(7)，一端部与低电位电路图案(2)连接；以及高电位端子(8)，一端部与高电位电路图案(3)连接，高电位端子(8)及低电位端子(7)具有：平板部(8b、7b)，它们构成彼此上下平行地配置的平行平板，在低电位电路图案(2)侧延伸；以及电极部(8c、7c)，它们从绝缘基板(1)凸出。

公开(公告)号：CN115000039A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210129260.3

申请日：2022-02-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松尾英尧 ,  后藤亮 ,  清水康贵

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07

Abstract: 目的是提供可实现小型化且减小高电位端子与低电位端子间的电感的半导体装置。半导体装置(100)具有：绝缘基板(1)；电路图案(5)，包含在绝缘基板(1)之上设置的低电位电路图案(2)和在绝缘基板(1)之上的与低电位电路图案(2)相邻的区域设置的高电位电路图案(3)；多个半导体芯片(6)，搭载于电路图案(5)之上；低电位端子(7)，一端部与低电位电路图案(2)连接；以及高电位端子(8)，一端部与高电位电路图案(3)连接，高电位端子(8)及低电位端子(7)具有：平板部(8b、7b)，它们构成彼此上下平行地配置的平行平板，在低电位电路图案(2)侧延伸；以及电极部(8c、7c)，它们从绝缘基板(1)凸出。