公开(公告)号：CN119220980A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410117684.7

申请日：2024-01-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔世荣 ,  黄慈英 ,  沈秀姸 ,  丁元钟 ,  卢健培

IPC: C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  C09G1/02

Abstract: 本公开提供一种用于抛光铜的CMP浆料组成物和使用其抛光的方法。CMP浆料组成物包含：由极性溶剂和非极性溶剂当中选出的至少一种溶剂；研磨剂；以及腐蚀抑制剂，其中腐蚀抑制剂包含由式1表示的化合物或其盐。

公开(公告)号：CN107778876B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710259297.7

申请日：2017-04-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  沈秀姸 ,  金眞敎 ,  朱英在

IPC: C08L83/16 ,  C08L83/14 ,  C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  H01L29/51

Abstract: 一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在1H‑NMR光谱中满足等式1和2的含硅聚合物以及溶剂。等式1和2的定义与具体实施方式中相同。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的含硅聚合物具有极佳耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征。通过提供包含其的组成物，所获得的二氧化硅层可实现极佳耐蚀刻性和平面化特征。B/A＝0.2到0.4 [等式1](A+B)/C＝4.8到12.0 [等式2]。

公开(公告)号：CN115305010A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210262803.9

申请日：2022-03-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 沈秀姸 ,  李知虎 ,  李贤玗 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含：溶剂；研磨剂；以及含有末端氨基的树枝状聚(酰氨基胺)。本发明可改进钨图案晶片的平整度，同时降低腐蚀速率。

公开(公告)号：CN108164711A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201710636140.1

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 沈秀姸 ,  裵鎭希 ,  郭泽秀 ,  金龙国 ,  金眞敎 ,  卢健培 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma [方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。

公开(公告)号：CN107778876A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710259297.7

申请日：2017-04-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  沈秀姸 ,  金眞敎 ,  朱英在

IPC: C08L83/16 ,  C08L83/14 ,  C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  H01L29/51

Abstract: 一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在1H-NMR光谱中满足等式1和2的含硅聚合物以及溶剂。等式1和2的定义与具体实施方式中相同。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的含硅聚合物具有极佳耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征。通过提供包含其的组成物，所获得的二氧化硅层可实现极佳耐蚀刻性和平面化特征。B/A＝0.2到0.4 [等式1](A+B)/C＝4.8到12.0 [等式2]。

公开(公告)号：CN115109519A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210263056.0

申请日：2022-03-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  李泳基 ,  沈秀姸 ,  李贤玗 ,  李昌锡 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含：溶剂；研磨剂；以及树枝状聚(酰氨基胺)，含有pKa为6或小于6的末端官能团。本发明可改进凹陷特性且降低腐蚀速率，同时使钨图案晶片的抛光速率的降低最小化。

公开(公告)号：CN107129757B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201610835603.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  卢健培 ,  徐珍雨 ,  沈秀姸 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  张俊英 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D7/20 ,  C09D1/00 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。

公开(公告)号：CN107129757A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201610835603.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  卢健培 ,  徐珍雨 ,  沈秀姸 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  张俊英 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D7/00 ,  C09D1/00 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。

公开(公告)号：CN115710463B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202211011094.3

申请日：2022-08-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  李泳基 ,  沈秀姸 ,  李贤玗 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明公开一种用于图案化钨晶片的CMP浆料组成物和使用其的钨抛光方法。CMP浆料组成物包含：溶剂；磨料；以及非树枝状聚(酰胺基胺)。

公开(公告)号：CN116515399A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211421492.2

申请日：2022-11-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 沈秀姸 ,  李知虎 ,  金龙国 ,  崔世荣 ,  黄慈英 ,  金廷熙

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06

Abstract: 本文中公开一种用于对铜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及使用所述化学机械抛光浆料组合物的铜膜抛光方法。所述化学机械抛光浆料组合物包括：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及选自包括式1的化合物及包括式2的化合物中的至少一种化合物。