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公开(公告)号：CN117855262A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311031978.X
申请日：2023-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可包括沟道层上的势垒层、势垒层上的栅电极、势垒层与栅电极之间的栅极半导体层、以及沟道层上的彼此间隔开的源极和漏极。势垒层可具有比沟道层大的能带隙。栅极半导体层可包括接触势垒层的第一表面、接触栅电极的第二表面、以及连接第一表面与第二表面的侧壁。栅极半导体层的第二表面的区域可比第一表面的区域窄。栅极半导体层的侧壁可包括具有不同斜率的多个表面。
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公开(公告)号：CN103715240A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310128726.9
申请日：2013-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供了一种常闭型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该常闭型HEMT包括：沟道层，具有第一氮化物半导体；沟道供应层，包括在沟道层上的第二氮化物半导体以将二维电子气（2DEG）诱导到沟道层；源电极和漏电极，布置在沟道供应层的两侧；耗尽形成层，在沟道供应层上以在2DEG的至少局部区域中形成耗尽区并且具有至少两个厚度；栅绝缘层，在所述耗尽形成层上；以及栅电极，在所述栅绝缘层上以接触所述耗尽形成层。
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公开(公告)号：CN115148793A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210041130.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件和制造该功率半导体器件的方法，其中该方法包括：在基板上形成沟道分离图案；在基板和沟道分离图案上形成钝化层；同时形成穿透钝化层的栅极孔、源极孔和漏极孔；以及同时形成栅电极图案、源电极图案和漏电极图案。栅电极图案可以形成在沟道分离图案上。栅电极图案的侧表面和沟道分离图案的侧表面可以具有台阶差。
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公开(公告)号：CN114496968A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110589669.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种半导体器件封装和/或制造该半导体器件封装的方法。该半导体器件封装可以包括：半导体器件，包括在半导体器件的上表面上的多个电极焊盘；引线框架，包括接合到所述多个电极焊盘的多个导电构件；以及模制件，在所述多个导电构件之间。
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公开(公告)号：CN112993028A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011107929.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687732B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010337504.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
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公开(公告)号：CN115377182A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210047021.3
申请日：2022-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括在其中形成沟道的有源区和围绕有源区的场区。HEMT可以包括：沟道层；阻挡层，在沟道层上并被配置为在沟道层中感应二维电子气(2DEG)；在有源区中在阻挡层上的源极和漏极；以及在阻挡层上的栅极。栅极可以在阻挡层上从有源区突出到场区。栅极可以包括第一栅极和第二栅极。第一栅极可以在有源区中，第二栅极可以在有源区和场区之间的边界区中。第二栅极的功函数可以不同于第一栅极的功函数。
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公开(公告)号：CN115346981A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210285504.7
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L21/8232 , H01L29/10 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体集成电路器件，包括：沟道层、势垒层、在势垒层上彼此间隔开的第一p型半导体层和第二p型半导体层；以及在第一p型半导体层和第二p型半导体层上的钝化层。钝化层可以使第一p型半导体层和第二p型半导体层中的至少一个的掺杂剂部分地失活。
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公开(公告)号：CN112993028B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011107929.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。
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公开(公告)号：CN112687732A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010337504.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
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