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公开(公告)号：CN111354658A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910821987.6
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种湿蚀刻系统操作方法、利用其形成半导体器件的方法和湿蚀刻系统，其中该湿蚀刻系统操作方法包括：提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置；将第N批基板装载到蚀刻装置中并执行第N蚀刻工艺；排出第N蚀刻溶液中的一些；用从连接到蚀刻装置的供给装置供应的第(N+1)蚀刻溶液再填充蚀刻装置；以及将第(N+1)批基板装载到蚀刻装置中并执行第(N+1)蚀刻工艺，其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内或高于该温度管理范围的温度，以及其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的浓度，N是正整数。
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公开(公告)号：CN108933135B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201810157217.1
申请日：2018-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法。该方法可以包括形成第一线图案和第二线图案。第一线图案具有面向第二线图案的第一侧，并且第二线图案具有面向第一线图案的第二侧。该方法还可以包括在第一线图案的第一侧形成第一间隔件结构，以及在第二线图案的第二侧形成第二间隔件结构。第一间隔件结构和第二间隔件结构可以限定开口。该方法可以进一步包括：在所述开口的下部中形成第一导体；通过蚀刻第一间隔件结构的上部和第二间隔件结构的上部，形成扩展开口；并且在扩展开口中形成第二导体。该扩展开口的宽度可以大于所述开口的下部的宽度。
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公开(公告)号：CN108933135A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810157217.1
申请日：2018-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法。该方法可以包括形成第一线图案和第二线图案。第一线图案具有面向第二线图案的第一侧，并且第二线图案具有面向第一线图案的第二侧。该方法还可以包括在第一线图案的第一侧形成第一间隔件结构，以及在第二线图案的第二侧形成第二间隔件结构。第一间隔件结构和第二间隔件结构可以限定开口。该方法可以进一步包括：在所述开口的下部中形成第一导体；通过蚀刻第一间隔件结构的上部和第二间隔件结构的上部，形成扩展开口；并且在扩展开口中形成第二导体。该扩展开口的宽度可以大于所述开口的下部的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545707A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811088273.0
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了超临界处理腔室和用于处理基板的设备。该处理腔室包括：主体框架，其具有突起和凹室，突起从主体框架的第一表面竖直向上突出，凹室由主体框架的突起和第一表面限定；罩框架；缓冲腔室，缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间；以及连接器。缓冲腔室包括：内部容器，其可拆卸地联接到主体框架，从而在凹室中提供腔室空间；以及内部罩，内部罩可拆卸地联接到罩框架。内部罩与内部容器的第一表面接触，从而封闭腔室空间使其与周围环境隔绝。连接器联接主体框架和罩框架，使缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间，使得封闭的腔室空间转变成在其中执行超临界处理的处理空间。
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公开(公告)号：CN106206595A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610365474.5
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L23/485 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7848 , H01L27/11524
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第一蚀刻速率的第一材料的第一嵌入的源极/漏极。第一嵌入的源极/漏极可以每个包括具有凹陷部分和相对于凹陷部分的外凸起部分的上表面。第二导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第二蚀刻速率的第二材料的第二嵌入的源极/漏极，该第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。第二嵌入的源极/漏极可以每个包括处于与第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件的外凸起部分不同的水平的上表面。
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公开(公告)号：CN1700425A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510073964.X
申请日：2005-05-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 高科技实美化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213 , C11D7/32 , C11D7/00 , C11D3/00 , C11D1/00
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/0084 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , C23G1/106
Abstract: 一种用于半导体晶片处理的腐蚀－抑制清洗组合物，包含约0.5wt％至约5wt％的浓度范围的双氧水、约1wt％至约10wt％的浓度范围的硫酸、约0.01wt％至约1wt％的浓度范围的氢氟酸；约0.1wt％至约5wt％的浓度范围的唑和去离子水。在清洗工序过程中，唑通过与金属层表面螯合抑制待清洗金属层被腐蚀。
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公开(公告)号：CN107706094B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710665594.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/8234
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上顺序地形成栅极层和型芯层；在型芯层上形成第一光致抗蚀剂；通过使用第一光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除型芯层而形成型芯图案；形成间隔物图案，间隔物图案包括位于型芯图案中包括的第一型芯一侧的第一型芯间隔物以及位于第一型芯另一侧的第二型芯间隔物；在去除型芯图案之后，形成覆盖间隔物图案的牺牲层；在牺牲层上形成包括桥图案的第二光致抗蚀剂，桥图案重叠第一型芯间隔物和第二型芯间隔物的部分；以及通过使用间隔物图案以及第二光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除栅极层而形成栅极图案。
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公开(公告)号：CN107706094A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710665594.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/28114 , H01L21/0337 , H01L21/28123 , H01L21/28132 , H01L21/32139 , H01L21/823431 , H01L27/0207 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66795 , H01L29/7856 , H01L21/0274
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上顺序地形成栅极层和型芯层；在型芯层上形成第一光致抗蚀剂；通过使用第一光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除型芯层而形成型芯图案；形成间隔物图案，间隔物图案包括位于型芯图案中包括的第一型芯一侧的第一型芯间隔物以及位于第一型芯另一侧的第二型芯间隔物；在去除型芯图案之后，形成覆盖间隔物图案的牺牲层；在牺牲层上形成包括桥图案的第二光致抗蚀剂，桥图案重叠第一型芯间隔物和第二型芯间隔物的部分；以及通过使用间隔物图案以及第二光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除栅极层而形成栅极图案。
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