公开(公告)号：CN111354658A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910821987.6

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相勋 ,  高镛璇 ,  D.H.金 ,  金台宪 ,  文彰燮 ,  沈雨宽 ,  梁准烈 ,  车世浩

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种湿蚀刻系统操作方法、利用其形成半导体器件的方法和湿蚀刻系统，其中该湿蚀刻系统操作方法包括：提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置；将第N批基板装载到蚀刻装置中并执行第N蚀刻工艺；排出第N蚀刻溶液中的一些；用从连接到蚀刻装置的供给装置供应的第(N+1)蚀刻溶液再填充蚀刻装置；以及将第(N+1)批基板装载到蚀刻装置中并执行第(N+1)蚀刻工艺，其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内或高于该温度管理范围的温度，以及其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的浓度，N是正整数。