公开(公告)号：CN108933135B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201810157217.1

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙允镐 ,  申材旭 ,  高镛璇 ,  朴壬洙 ,  郑盛允

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法。该方法可以包括形成第一线图案和第二线图案。第一线图案具有面向第二线图案的第一侧，并且第二线图案具有面向第一线图案的第二侧。该方法还可以包括在第一线图案的第一侧形成第一间隔件结构，以及在第二线图案的第二侧形成第二间隔件结构。第一间隔件结构和第二间隔件结构可以限定开口。该方法可以进一步包括：在所述开口的下部中形成第一导体；通过蚀刻第一间隔件结构的上部和第二间隔件结构的上部，形成扩展开口；并且在扩展开口中形成第二导体。该扩展开口的宽度可以大于所述开口的下部的宽度。

公开(公告)号：CN108933135A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810157217.1

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙允镐 ,  申材旭 ,  高镛璇 ,  朴壬洙 ,  郑盛允

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法。该方法可以包括形成第一线图案和第二线图案。第一线图案具有面向第二线图案的第一侧，并且第二线图案具有面向第一线图案的第二侧。该方法还可以包括在第一线图案的第一侧形成第一间隔件结构，以及在第二线图案的第二侧形成第二间隔件结构。第一间隔件结构和第二间隔件结构可以限定开口。该方法可以进一步包括：在所述开口的下部中形成第一导体；通过蚀刻第一间隔件结构的上部和第二间隔件结构的上部，形成扩展开口；并且在扩展开口中形成第二导体。该扩展开口的宽度可以大于所述开口的下部的宽度。