公开(公告)号：CN1700425A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510073964.X

申请日：2005-05-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高科技实美化学株式会社

Inventor： 李光旭 ,  黄寅奭 ,  李锦珠 ,  高镛璇 ,  宋昌笼 ,  白贵宗 ,  韩雄

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C11D7/32 ,  C11D7/00 ,  C11D3/00 ,  C11D1/00

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/0084 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/106

Abstract: 一种用于半导体晶片处理的腐蚀－抑制清洗组合物，包含约0.5wt％至约5wt％的浓度范围的双氧水、约1wt％至约10wt％的浓度范围的硫酸、约0.01wt％至约1wt％的浓度范围的氢氟酸；约0.1wt％至约5wt％的浓度范围的唑和去离子水。在清洗工序过程中，唑通过与金属层表面螯合抑制待清洗金属层被腐蚀。