电可擦除可编程只读存储器单元及其制造方法

    公开(公告)号:CN1521854A

    公开(公告)日:2004-08-18

    申请号:CN200410006714.X

    申请日:2004-01-24

    Inventor: 金荣浩 申镐奉

    CPC classification number: H01L29/7883 H01L27/115 H01L27/11521 H01L27/11524

    Abstract: 本发明提供了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元及其制造方法。EEPROM单元包括:形成在半导体衬底上的、用来限定有源区的隔离层;在有源区中顺次设置的源区、掩埋N+区和漏区。所配置的存储栅横跨掩埋N+区。第一沟道区形成在源区与掩埋N+区之间。隧道区位于掩埋N+区与存储栅之间,并自对准于掩埋N+区。这样,可以实现隧道区与掩埋N+区之间的重叠面积在整个衬底上是一致的,由此改善了EEPROM器件的编程、擦除和读取操作。

    电可擦除可编程只读存储器单元及其制造方法

    公开(公告)号:CN1329995C

    公开(公告)日:2007-08-01

    申请号:CN200410006714.X

    申请日:2004-01-24

    Inventor: 金荣浩 申镐奉

    CPC classification number: H01L29/7883 H01L27/115 H01L27/11521 H01L27/11524

    Abstract: 本发明提供了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元及其制造方法。EEPROM单元包括:形成在半导体衬底上的、用来限定有源区的隔离层;在有源区中顺次设置的源区、掩埋N+区和漏区。所配置的存储栅横跨掩埋N+区。第一沟道区形成在源区与掩埋N+区之间。隧道区位于掩埋N+区与存储栅之间,并自对准于掩埋N+区。这样,可以实现隧道区与掩埋N+区之间的重叠面积在整个衬底上是一致的,由此改善了EEPROM器件的编程、擦除和读取操作。

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