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公开(公告)号：CN116895640A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202211691341.9
申请日：2022-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：延伸结构，所述延伸结构包括堆叠在衬底上并且在第一水平方向上延伸的第一水平导电线延伸部、第一层间绝缘层、第二水平导电线延伸部和第二层间绝缘层；第一接触，所述第一接触被构造为穿过所述第二层间绝缘层、所述第二水平导电线延伸部和所述第一层间绝缘层并且接触所述第一水平导电线延伸部；第二接触，所述第二接触被构造为穿过所述第二层间绝缘层并且接触所述第二水平导电线延伸部；以及第一接触间隔物，所述第一接触间隔物在所述第一接触的侧壁与所述延伸结构之间延伸，并且被构造为将所述第一接触与所述第二水平导电线延伸部电隔离。
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公开(公告)号：CN116782638A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310221709.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了半导体存储器件及制造其的方法。所述半导体存储器件包括：衬底；接触电极，在第一方向上延伸，每个所述接触电极包括具有第一厚度的连接部和具有第二厚度的着陆部；最上面的接触电极，位于所述接触电极上方，接触电极在所述第一方向上比所述最上面的接触电极长并且限定台阶结构；晶体管主体，在第二方向上延伸，并且具有在第二方向上顺序排列的第一源极/漏极区、单晶沟道层和第二源极/漏极区，单晶沟道层连接到对应的所述接触电极；下电极层，连接到每个所述晶体管主体的所述第二源极/漏极区；电容器电介质层，覆盖所述下电极层并具有均匀的厚度；以及上电极层，与下电极层通过电容器电介质层分离。
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公开(公告)号：CN107393929A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710344167.3
申请日：2017-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11573 , H01L27/11556 , H01L27/11526
Abstract: 本公开提供半导体芯片。一种半导体芯片包括在基板上的周边电路区域。半导体芯片包括在周边电路区域上的半导体层。半导体芯片包括在半导体层上的单元区域。而且，半导体芯片包括与半导体层相邻的层/连接器。还提供制造半导体芯片的方法。
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公开(公告)号：CN116113236A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211409023.9
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 半导体存储器件可以包括：单元衬底，包括单元阵列区、第一延伸区和第二延伸区以及贯通区；第一模制结构，包括以阶梯式堆叠的第一栅电极；第一层间绝缘层，在第二延伸区上的第一栅电极上共形地延伸；第二层间绝缘层，在第一层间绝缘层上；第二模制结构，包括在第二层间绝缘层上并以阶梯式堆叠在第一延伸区上的第二栅电极；沟道结构，在单元阵列区上的第一模制结构和第二模制结构中；第一单元接触结构，在第二延伸区上的第一模制结构中；以及第二单元接触结构，在第一延伸区上的第一模制结构和第二模制结构中。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层可以具有不同的杂质浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107393929B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710344167.3
申请日：2017-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11573 , H01L27/11556 , H01L27/11526
Abstract: 本公开提供半导体芯片。一种半导体芯片包括在基板上的周边电路区域。半导体芯片包括在周边电路区域上的半导体层。半导体芯片包括在半导体层上的单元区域。而且，半导体芯片包括与半导体层相邻的层/连接器。还提供制造半导体芯片的方法。
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公开(公告)号：CN109427530A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810908958.9
申请日：2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32651 , H01J37/32091 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6719 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01J37/32633 , H01J37/32834
Abstract: 提供了护罩以及包括该护罩的衬底处理系统。衬底处理系统可以包括处理室、支撑体以及等离子体源，所述等离子体源在竖直方向上与所述支撑体间隔开。所述衬底处理系统还可以包括护罩，所述护罩被构造为在其中容纳所述等离子体。所述护罩可以包括侧壁部以及第一凸缘部，所述第一凸缘部从所述侧壁部水平地延伸并且包括贯穿所述第一凸缘部的多个第一狭缝。所述第一凸缘部可以限定第一开口，并且所述支撑体的一部分延伸穿过所述第一开口。所述侧壁部可以包括多个第二狭缝，所述多个第二狭缝中的每一个可以贯穿所述侧壁部，并可以从所述多个第一狭缝之一朝向所述等离子体源延伸。
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公开(公告)号：CN109103193A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810641827.9
申请日：2018-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556
Abstract: 提供了一种垂直存储器件及制造该器件的方法。垂直存储器件可以包括：堆叠在半导体衬底的单元区域中的多个栅电极层；划分所述多个栅电极层当中最上面的栅电极层的在第一方向上延伸的多个上隔离绝缘层；多个垂直孔，所述多个垂直孔布置为使任意两个相邻的垂直孔在整个单元区域中彼此具有均匀的距离，并且包括贯穿所述多个栅电极层并设置在所述多个上隔离绝缘层之间的多个沟道孔、以及贯穿所述多个上隔离绝缘层的多个第一支撑孔；设置在所述多个沟道孔中的多个沟道结构；以及设置在所述多个第一支撑孔中的多个第一支撑结构。
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公开(公告)号：CN115935886A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210637287.3
申请日：2022-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06N7/00 , G06F111/08
Abstract: 提供了用于半导体开发的数据探索的方法和设备。处理器实现的用于数据探索的方法包括：设置第一输入数据和第一目标条件；使用对目标函数建模的第一函数来预测与第一输入数据对应的第一输出数据；和使用提供第一输出数据与第一目标条件之间的比较结果的第二函数来确定第二输入数据。
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