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公开(公告)号：CN110310993B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910216931.8
申请日：2019-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , H10B69/00
Abstract: 提供了半导体装置及其形成方法。所述半导体装置可以包括半导体基底以及位于半导体基底中的有源区域，其中，有源区域可以包括具有氧的可变原子浓度的氧化物半导体材料。第一源/漏区可以位于有源区域中，其中，第一源/漏区可以具有氧化物半导体材料中的氧的第一原子浓度。第二源/漏区可以位于与第一源/漏区分隔开的有源区域中，沟道区域可以位于第一源/漏区与第二源/漏区之间，其中，沟道区域可以具有氧化物半导体材料中的氧的第二原子浓度，氧的第二原子浓度低于氧的第一原子浓度。栅电极可以位于沟道区域上并且可以在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸。
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公开(公告)号：CN103151334A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210524164.5
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , C25D3/38 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/76802 , H01L21/76883 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/1052 , H01L27/10882 , H01L27/10894 , H01L27/11526 , H01L27/11548 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法和由此制造的半导体器件。在所述方法中，可以在单元凹陷区和周边电路区之间形成伪凹陷区。由于伪凹陷区的存在，可以减小伪图案区附近电镀溶液中所含的抑制剂的浓度梯度，以使单元图案区中抑制剂的浓度更均匀，并向单元图案区更有效地供给电流。结果，在单元图案区中能更均匀地形成电镀层，其中没有空隙形成。
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公开(公告)号：CN111430462B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202010000962.2
申请日：2020-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/34
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：沟道层，位于基底上，沟道层包括导电氧化物；栅极结构，位于沟道层上，栅极结构包括栅电极和位于栅电极的两个侧壁上的栅极间隔件；以及源区和漏区，在距沟道层的顶表面具有第一高度的凹进区域中位于栅极结构的两侧上。源区和漏区被构造为向沟道层的位于栅极结构下方的部分施加拉应力。
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公开(公告)号：CN111354761A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911299184.5
申请日：2019-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了融合存储器装置及其制造方法。融合存储器装置包括：第一存储器装置，其包括具有彼此相对的有源表面和无源表面的第一衬底和位于第一衬底的有源表面上的第一存储器单元电路；非存储器装置，其包括具有彼此相对的有源表面和无源表面的第二衬底和位于第二衬底的有源表面上的非存储器电路，所述非存储器装置设置在第一存储器装置上；和第二存储器装置，其位于第二衬底的无源表面上，并且包括与第一存储器单元电路不同的第二存储器单元电路。非存储器装置设置在第一存储器单元电路和第二存储器单元电路之间，并且对第一存储器单元电路和第二存储器单元电路中的每一个的电操作进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111176551A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910741893.8
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种储存设备，包括：存储器控制器，该存储器控制被配置为在写入操作模式下输出从储存设备的外部接收的用户数据，并且在读取操作模式下接收读取数据；以及存储器设备，该存储器设备包括存储器单元阵列和随机输入和输出(I/O)引擎，随机I/O引擎被配置为在写入操作模式下使用随机I/O码对从存储器控制器提供的用户数据进行编码，并且在读取操作模式下通过使用随机I/O码对由数据I/O电路从存储器单元阵列读取的内部读取数据进行解码来生成读取数据。
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公开(公告)号：CN111146200A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911064310.9
申请日：2019-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底；衬底上的第一有源图案；与第一有源图案的沟道区相交的栅电极；覆盖第一有源图案和栅电极的第一绝缘层；穿透第一绝缘层以便电连接到第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及第一绝缘层上的第二有源图案。第二有源图案的沟道区与接触部在竖直方向上重叠。
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公开(公告)号：CN111430462A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010000962.2
申请日：2020-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/34
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：沟道层，位于基底上，沟道层包括导电氧化物；栅极结构，位于沟道层上，栅极结构包括栅电极和位于栅电极的两个侧壁上的栅极间隔件；以及源区和漏区，在距沟道层的顶表面具有第一高度的凹进区域中位于栅极结构的两侧上。源区和漏区被构造为向沟道层的位于栅极结构下方的部分施加拉应力。
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公开(公告)号：CN110310993A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910216931.8
申请日：2019-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , H01L27/115
Abstract: 提供了半导体装置及其形成方法。所述半导体装置可以包括半导体基底以及位于半导体基底中的有源区域，其中，有源区域可以包括具有氧的可变原子浓度的氧化物半导体材料。第一源/漏区可以位于有源区域中，其中，第一源/漏区可以具有氧化物半导体材料中的氧的第一原子浓度。第二源/漏区可以位于与第一源/漏区分隔开的有源区域中，沟道区域可以位于第一源/漏区与第二源/漏区之间，其中，沟道区域可以具有氧化物半导体材料中的氧的第二原子浓度，氧的第二原子浓度低于氧的第一原子浓度。栅电极可以位于沟道区域上并且可以在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸。
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公开(公告)号：CN103151334B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210524164.5
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , C25D3/38 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/76802 , H01L21/76883 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/1052 , H01L27/10882 , H01L27/10894 , H01L27/11526 , H01L27/11548 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法和由此制造的半导体器件。在所述方法中，可以在单元凹陷区和周边电路区之间形成伪凹陷区。由于伪凹陷区的存在，可以减小伪图案区附近电镀溶液中所含的抑制剂的浓度梯度，以使单元图案区中抑制剂的浓度更均匀，并向单元图案区更有效地供给电流。结果，在单元图案区中能更均匀地形成电镀层，其中没有空隙形成。
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