公开(公告)号：CN1770392A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106861.9

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  权章渊 ,  殷华湘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/02356 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种形成铁电膜的方法及使用该形成铁电膜的方法制造电容器和半导体存储器件的方法。形成铁电膜的方法包括制备基底、在该基底上碘淀积非晶铁电膜、和通过照射激光束到非晶铁电膜而结晶该非晶铁电膜。由于铁电膜可以在低于500℃的温度形成，因此形成铁电膜的方法可以减少对其他元件的热破坏。

公开(公告)号：CN100490074C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP-CVD在低温时形成的。ICP-CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP-CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅有源层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。

公开(公告)号：CN101086969A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710088997.0

申请日：2007-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1281

Abstract: 本发明提供一种制造底栅型薄膜晶体管TFT的方法，其中具有大晶粒尺寸的多晶沟道区相对简单且容易地形成。制造底栅薄膜晶体管的该方法包括：在基板上形成底栅电极；在所述基板上形成栅极绝缘层从而覆盖所述栅电极；在所述栅极绝缘层上形成非晶半导体层；构图所述非晶半导体层从而在所述栅电极上形成非晶沟道区；利用激光退火方法熔化所述非晶沟道区；以及晶化所述熔化的非晶沟道区从而形成横向生长的多晶沟道区。

公开(公告)号：CN1719582A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510081929.2

申请日：2005-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道暎 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  权章渊

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296

Abstract: 本发明提供了一种制备多晶硅薄膜的方法和使用该方法制备半导体器件的方法。为了形成多晶硅薄膜，在形成于基板上的非晶硅薄膜中注入中性离子，然后进行退火。非晶硅薄膜可以在高能量密度下退火，并且可以在非耐热塑料基板上形成具有优异特性的多晶硅薄膜。因此，可以在比如Si晶片或玻璃基板的耐热基板，或比如塑料基板的非耐热基板上形成优异的多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN101819982A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010175802.8

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。该多层交叉点电阻存储器包括：形成在半导体衬底上的导线；在该导线上由多晶硅形成的第一垂直二极管；形成在该第一垂直二极管上的第一下电极；第一堆叠线形图案，形成在该第一下电极上从而以直角交叉该导线，且包括其中第一电阻器和第一上电极顺序堆叠的结构；在该第一堆叠线形图案上由多晶硅形成的第二垂直二极管；该第二垂直二极管上的第二下电极；以及第二堆叠线形图案，形成在该第二下电极上从而以直角交叉该第一堆叠线形图案，且包括其中第二电阻器和第二上电极顺序堆叠的结构。

公开(公告)号：CN101114570A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710005924.0

申请日：2007-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/146 ,  G02B3/00

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明提供了一种形成微透镜的方法、包括微透镜的图像传感器和制造该图像传感器的方法。形成微透镜的方法包括：在具有下结构的半导体衬底上形成硅图案；在该半导体衬底上形成盖膜以覆盖硅图案；退火硅图案和盖膜以将硅图案变形为具有杆形状的多晶硅图案并将盖膜变形为圆型微透镜的壳部；和通过半导体衬底与将盖膜变形为壳部时产生的壳部边缘之间的开口，用透镜材料填充壳部的内部。图像传感器包括通过上述方法或类似方法形成的微透镜和在该微透镜中心之下具有杆形状并由多晶硅形成的光电二极管部分。

公开(公告)号：CN1770476A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510114007.7

申请日：2005-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 野口隆 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02598 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66772

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)和一种制造所述薄膜晶体管的方法。所述TFT包括：透明衬底；覆盖所述透明衬底的预定区域的绝缘层；在所述绝缘层上形成的、包括源极区、漏极区和沟道区的单晶硅层；以及在所述单晶硅层的沟道区上依次形成的栅极绝缘膜和栅电极。所述TFT能够通过快速热辐射高速地稳定运行。并且能够使TFT的尺寸显著降低。

公开(公告)号：CN1691340A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510063832.9

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑智心 ,  野口陆 ,  赵世泳 ,  金道暎 ,  朴敬培

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明公开了一种电子装置和一种制造该电子装置的方法。该装置包括塑料衬底，叠放在塑料衬底上的透明热导层，叠放在热导层上的多晶硅层，和设置在多晶硅层上的功能装置。所述功能装置是晶体管、发光装置和存储装置中任意一个。所述功能装置可以是包括叠放在多晶硅层上的栅极叠层的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101819982B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010175802.8

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。该多层交叉点电阻存储器包括：形成在半导体衬底上的导线；在该导线上由多晶硅形成的第一垂直二极管；形成在该第一垂直二极管上的第一下电极；第一堆叠线形图案，形成在该第一下电极上从而以直角交叉该导线，且包括其中第一电阻器和第一上电极顺序堆叠的结构；在该第一堆叠线形图案上由多晶硅形成的第二垂直二极管；该第二垂直二极管上的第二下电极；以及第二堆叠线形图案，形成在该第二下电极上从而以直角交叉该第一堆叠线形图案，且包括其中第二电阻器和第二上电极顺序堆叠的结构。

公开(公告)号：CN101064258B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200610126325.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴永洙 ,  李准浩 ,  林赫 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L21/36 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层，以及在该高取向性Al2O3层上生长硅薄膜。