有机发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101022121A

    公开(公告)日:2007-08-22

    申请号:CN200710003291.X

    申请日:2007-02-02

    Inventor: 崔埈厚 许宗茂

    CPC classification number: H01L27/1229 H01L27/3262 H01L29/04

    Abstract: 本发明涉及一种有机发光装置,该装置包括:基板;形成在基板上的第一和第二信号线;连接至第一和第二信号线并包括第一半导体的开关晶体管;连接至开关晶体管并包括第二半导体的驱动晶体管;连接至驱动晶体管的第一电极;面对第一电极的第二电极;以及形成在第一电极与第二电极之间的发光件。第一半导体和第二半导体形成在显示器的不同层上。

    显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101017843A

    公开(公告)日:2007-08-15

    申请号:CN200710006597.0

    申请日:2007-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种显示装置,该显示装置包括:绝缘基底;开关薄膜晶体管,形成在绝缘基底上,用于接收数据电压,并具有包含非晶硅的第一半导体层;驱动薄膜晶体管,形成在绝缘基底上,具有与开关薄膜晶体管的输出端连接的控制端,并包括含有多晶硅的第二半导体层;光传感器,形成在绝缘基底上,包括第三半导体层以及与第三半导体层电连接的传感输入端和传感输出端;绝缘层,形成在所述光传感器上;第一电极,形成在绝缘层上并与驱动薄膜晶体管的输出端电连接;有机层,形成在第一电极上并包括发光层;第二电极,形成在有机层上;控制器,基于光传感器的输出来控制数据电压。

    显示装置的制造方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101552231B

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200910130346.2

    申请日:2006-12-12

    Inventor: 朴承圭 许宗茂

    CPC classification number: C23C14/042 H01L51/56

    Abstract: 本发明提供了一种显示装置的制造方法,包括:准备包括薄膜晶体管以及连接至薄膜晶体管的像素电极的基板;将掩膜附于基板上,掩膜包括形成有图案形成区域的支承框架、形成在图案形成区域中的多个图案形成部分、以及形成在图案形成部分之间的辅助支承框架;在对应于图案形成部分的像素电极上沉积发光材料;移动掩膜,以将图案形成部分设置在对应于辅助支承框架的像素电极上;以及通过重复沉积发光材料以及移动掩膜的步骤,形成具有所述发光材料的发光层。

    包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置方法

    公开(公告)号:CN100470875C

    公开(公告)日:2009-03-18

    申请号:CN200410007734.9

    申请日:2004-03-05

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/3262

    Abstract: 本发明提供包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置的方法。一种场致发光装置包括:一场致发光元件和一与该场致发光元件电连接薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括:一栅极电极,形成在一衬底上方;一绝缘层,形成在该栅极电极上方;一第一半导体图形,形成在该绝缘层上方。一蚀刻停止层形成在该第一半导体层上方。一第二半导体图形在该蚀刻停止层一侧形成在该蚀刻停止层上方,而一第三半导体图形在该蚀刻停止层另一侧形成在该蚀刻停止层上方。一源极电极形成在该第二半导体图形上方,而一漏极电极形成在该第三半导体图形上方。

    显示器件及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101232041A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200810000902.X

    申请日:2008-01-07

    Abstract: 显示器件包括:绝缘基板;形成在绝缘基板上的开关TFT,开关TFT接收数据电压并包括第一半导体层;形成在基板上的驱动TFT,驱动TFT包括与开关TFT的输出终端连接的控制终端和含有多晶硅和卤素材料的第二半导体层;绝缘层,形成在开关TFT和驱动TFT上;第一电极,形成在绝缘层上并电连接到驱动TFT的输出终端;有机发光层,形成在第一电极上;和第二电极,形成在有机发光层上。本发明还涉及显示器件的制造方法。

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