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公开(公告)号：CN1517771A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410000993.9
申请日：2004-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：在绝缘基板上形成的栅极线；在栅极导电层上形成的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成的半导体层；在栅极绝缘层上形成且包括源极的数据线；至少部分形成在半导体层上的漏极；形成在数据线和漏极上且具有至少部分露出漏极和栅极绝缘层部分的第一接触孔的钝化层；形成在钝化层上并通过第一接触孔连接漏极及栅极绝缘层的露出部分的像素电极。
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公开(公告)号：CN1591144A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057090.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
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公开(公告)号：CN100399169C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410000993.9
申请日：2004-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：在绝缘基板上形成的栅极线；在栅极导电层上形成的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成的半导体层；在栅极绝缘层上形成且包括源极的数据线；至少部分形成在半导体层上的漏极；形成在数据线和漏极上且具有至少部分露出漏极和栅极绝缘层部分的第一接触孔的钝化层；形成在钝化层上并通过第一接触孔连接漏极及栅极绝缘层的露出部分的像素电极。
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公开(公告)号：CN100392506C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410057090.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
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公开(公告)号：CN1584720B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200410058480.3
申请日：2004-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1908789B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200610108364.7
申请日：2006-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/134309 , G02F1/13439
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器(LCD)，该LCD包括栅极线、数据线和像素电极，像素电极包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极。薄膜晶体管与栅极线和数据线结合，以向像素电极施加电压，存储电极与第一子像素电极和第二子像素电极部分地叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上，存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置，存储电极的第二侧部分突出并与第二子像素电极部分地叠置，存储电极包括存储电极延伸部分，存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。
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公开(公告)号：CN1495478A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03164805.3
申请日：2003-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , H01L21/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a－Si层，非本征a－Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a－Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a－Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。
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公开(公告)号：CN1255740A
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN99125805.3
申请日：1999-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G02F1/13 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13458 , G02F1/136204 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 一种供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法,该制造方法包括步骤:形成栅线路;形成栅绝缘膜图案;形成半导体层图案;形成欧姆接触层图案;形成数据线路;形成钝化层图案;和形成与漏极电极相连接的多个像素极,其中,栅绝缘膜图案,是按不同位置使用不同厚度的光致抗蚀层图案,通过一步光刻工艺,随着半导体层图案、欧姆接触层图案、数据线路、钝化层图案和所述像素极中的至少一个形成的。
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公开(公告)号：CN100465704C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN03164805.3
申请日：2003-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , H01L21/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a-Si层，非本征a-Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a-Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a-Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。
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公开(公告)号：CN101055352A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710101673.6
申请日：2007-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136263
Abstract: 本发明提供了一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括形成在基板上的信号线，形成在基板上的与信号线交叉并绝缘的修复线，以及形成在信号线和修复线交叉的基板第一区域上的第一冗余传导图案，其中第一冗余传导图案与信号线和修复线绝缘。
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