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公开(公告)号：CN102315350B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110183378.6
申请日：2011-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L2933/0025 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明公开了半导体发光二极管及其制造方法。制造半导体发光二极管(LED)的方法包括：在具有凸起和凹陷的基板上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；从发光结构去除基板，以暴露对应于凸起和凹陷的第一凹凸部；在第一凹凸部上形成保护层；去除保护层的一部分，以暴露第一凹凸部的凸部；以及在第一凹凸部的凸部上形成第二凹凸部。半导体发光二极管(LED)包括：包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层的发光结构；形成在发光结构上并在其凸部处具有第二凹凸部的第一凹凸部；以及填充第一凹凸部的凹部的保护层。
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公开(公告)号：CN103311420A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310067410.3
申请日：2013-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
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公开(公告)号：CN102456792B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110350755.0
申请日：2011-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/025 , H01L2933/0016
Abstract: 提供了一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：通过在基底上顺序地生长n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层来形成发光结构；通过溅射工艺在p型氮化物半导体层上形成透明电极；在溅射工艺之前或者在溅射工艺过程中，在执行溅射工艺的反应室的内部形成氮气气氛。在根据本发明的实施例获得的半导体发光器件的情况下，可以在通过溅射工艺制造透明电极的过程中，使因氮空位造成的电极特性的劣化现象最小化，从而能够提供具有明显改善的电学特性的透明电极。
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公开(公告)号：CN102891160A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210256528.6
申请日：2012-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/382 , H01L2224/16245
Abstract: 提供了一种半导体发光装置和一种发光设备。半导体发光装置包括：发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116710876A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202280009684.4
申请日：2022-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/3234
Abstract: 根据各种实施例的一种电子装置包括至少一个温度传感器、存储器以及可操作地连接到至少一个温度传感器和存储器的至少一个处理器，其中存储器可以配置成，当被运行时，使至少一个处理器基于借助至少一个温度传感器获得的电子装置的发热温度，确定电子装置是否处于第一发热状态；在第一发热状态下在第一数据处理速率范围内执行数据处理；当在第一数据处理速率范围内执行数据处理期间发生了第一指定事件时，检查对应于第一指定事件的第一时间段和/或第一数据处理速率；基于第一时间段和/或第一数据处理速率，执行对应于第一指定事件的数据处理；以及基于对应于第一指定事件的第一时间段到期或者数据处理结束，在第一数据处理速率范围内执行数据处理。各种其它实施例是可能的。
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公开(公告)号：CN103311420B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310067410.3
申请日：2013-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
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公开(公告)号：CN102468390B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201110282791.8
申请日：2011-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L27/153 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62
Abstract: 一种半导体发光器件，包括：包含第一区域和第二区域的第一导电半导体层；设置在第二区域上的有源层；设置在有源层上的第二导电半导体层；分别设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层上的第一电极分支和第二电极分支；电连接至第一电极分支并设置在第一电极分支上的第一电极极板；以及电连接至第二电极分支并设置在第二电极分支上的第二电极极板。
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公开(公告)号：CN103814430A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201180072891.6
申请日：2011-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/203 , C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3411 , C23C14/0641 , C23C14/34 , H01L31/1884 , H01L33/42 , Y02E10/50
Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了一种用于制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造的氮化物半导体发光器件。所述用于制造氮化物半导体发光器件的方法包括步骤：在衬底上形成第一和第二导电类型氮化物半导体层，以形成包括有位于第一和第二导电类型氮化物半导体层之间的有源层的发光结构；按顺序形成第一导电类型氮化物半导体层、有源层以及第二导电类型氮化物半导体层；形成连接到第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；在第二导电类型氮化物半导体层上形成光刻胶膜以暴露出部分第二导电类型氮化物半导体层；以及在将用作第二电极的反射金属层和阻挡层顺序形成在被光刻胶膜暴露出来的第二导电类型氮化物半导体层上之后去除光刻胶膜。
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公开(公告)号：CN103187425A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210580141.6
申请日：2012-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件和发光二极管模块。所述半导体发光器件包括半导体层压板，所述半导体层压板包括第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层以及在它们之间形成的有源层，并且将所述半导体层压板分成第一区域和第二区域。在所述第一区域上形成至少一个接触孔并且所述接触孔穿过所述有源层连接至所述第一导电类型半导体层的一部分。形成第一电极以通过所述至少一个接触孔连接至所述第一区域的第一导电类型半导体层并且连接至所述第二区域的第二导电类型半导体层。形成第二电极并将其连接至所述第一区域的第二导电类型半导体层。形成第一电极焊盘和第二电极焊盘以及支撑衬底。
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