公开(公告)号：CN101299440A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810086977.4

申请日：2008-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  田重锡 ,  李正贤 ,  李来寅 ,  朴连植 ,  李化成 ,  李浩 ,  赵世泳 ,  金锡必

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/426 ,  H01L2221/1094

Abstract: 本发明提供了一种具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法。该场效应晶体管可以包括：栅极氧化物层，形成在硅基底上；至少一个Ge纳米棒，埋入在栅极氧化物层中，其中，Ge纳米棒的两端被暴露；源电极和漏电极，连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧；栅电极，在源电极和漏电极之间形成在栅极氧化物层上。

公开(公告)号：CN101452832A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810098840.0

申请日：2008-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  梁铉德 ,  田重锡 ,  李化成 ,  李来寅 ,  陈薇薇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/43 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

Abstract: 示例实施例涉及一种形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法。根据示例实施例的形成Ge硅化物层的方法可以包括：在硅锗(SiGe)层上形成包含钒的金属层。金属层可以具有多层结构，并还可以包含铂(Pt)和镍(Ni)中的至少一种。可以将金属层进行退火以形成锗硅化物层。可以使用激光瞬间退火(LSA)方法来执行退火。

公开(公告)号：CN101261938A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200710185722.9

申请日：2007-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁铉德 ,  文昌郁 ,  田重锡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/78

Abstract: 示例实施例涉及一种制造硅化锗的方法以及一种半导体器件。根据示例实施例的方法可包括提供至少部分由锗硅构成的衬底。在该锗硅上可形成金属层。可在相对高的压力下对衬底进行热处理，以形成硅化锗。

公开(公告)号：CN101237025A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710303534.1

申请日：2007-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  田重锡 ,  布里姆·埃尔莫斯塔法 ,  梁铉德

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/957 ,  Y10S438/958 ,  Y10S977/735 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/943

Abstract: 实施例可以提供非易失性存储器件和构造非易失性存储器件的示例方法。实施例非易失性存储器件可以包括在衬底上的开关装置和/或电连接至该开关装置的存储节点。存储节点可以包括电连接至该开关装置的下金属层、堆叠在下金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上金属层、碳纳米管层、和/或钝化层。

公开(公告)号：CN101237025B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200710303534.1

申请日：2007-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  田重锡 ,  布里姆·埃尔莫斯塔法 ,  梁铉德

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/957 ,  Y10S438/958 ,  Y10S977/735 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/943

Abstract: 实施例可以提供非易失性存储器件和构造非易失性存储器件的示例方法。实施例非易失性存储器件可以包括在衬底上的开关装置和/或电连接至该开关装置的存储节点。存储节点可以包括电连接至该开关装置的下金属层、堆叠在下金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上金属层、碳纳米管层、和/或钝化层。

公开(公告)号：CN101414608A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810129778.7

申请日：2008-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  李商文 ,  田重锡 ,  白光铉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)装置及其制造方法。该CMOS装置包括：外延层，可形成在基底上；第一半导体层和第二半导体层，可分别形成在外延层的不同区域上；PMOS晶体管和NMOS晶体管，可分别形成在第一半导体层上和第二半导体层上。