公开(公告)号：CN101237025B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200710303534.1

申请日：2007-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  田重锡 ,  布里姆·埃尔莫斯塔法 ,  梁铉德

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/957 ,  Y10S438/958 ,  Y10S977/735 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/943

Abstract: 实施例可以提供非易失性存储器件和构造非易失性存储器件的示例方法。实施例非易失性存储器件可以包括在衬底上的开关装置和/或电连接至该开关装置的存储节点。存储节点可以包括电连接至该开关装置的下金属层、堆叠在下金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上金属层、碳纳米管层、和/或钝化层。

公开(公告)号：CN101237025A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710303534.1

申请日：2007-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  田重锡 ,  布里姆·埃尔莫斯塔法 ,  梁铉德

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/957 ,  Y10S438/958 ,  Y10S977/735 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/943

Abstract: 实施例可以提供非易失性存储器件和构造非易失性存储器件的示例方法。实施例非易失性存储器件可以包括在衬底上的开关装置和/或电连接至该开关装置的存储节点。存储节点可以包括电连接至该开关装置的下金属层、堆叠在下金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上金属层、碳纳米管层、和/或钝化层。