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公开(公告)号：CN118053845A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311157492.0
申请日：2023-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528
Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，其包括在第一横向方向上隔着接触空间彼此分开的第一鳍部分和第二鳍部分；第一源极/漏极区域，其在鳍型有源区域上位于在竖直方向上与接触空间重叠的位置处；栅极线，其在第一鳍部分上；器件隔离膜，其覆盖第一鳍部分和第二鳍部分中的每一个的两个侧壁并且限定接触空间的宽度；背面源极/漏极接触件，其电连接到第一源极/漏极区域，填充接触空间，并且具有面向第一鳍部分和第二鳍部分和器件隔离膜中的每一个的侧壁；以及蚀刻停止层，其在第一鳍部分和栅极线之间接触第一鳍部分和第二鳍部分中的每一个的顶表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449648B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201610326106.X
申请日：2016-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556
Abstract: 提供了具有虚设通道区的垂直存储装置。所述存储装置包括：均在与基底的上表面垂直的方向上延伸的多个通道区；与通道区相邻地堆叠在基底上的多个栅电极层和多个绝缘层，每个栅电极层延伸不同的长度；以及与所述多个栅电极层的第一端相邻的多个虚设通道区，其中，基底包括形成在所述多个虚设通道区下方的基底绝缘层。
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公开(公告)号：CN106449648A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610326106.X
申请日：2016-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556
Abstract: 提供了具有虚设通道区的垂直存储装置。所述存储装置包括：均在与基底的上表面垂直的方向上延伸的多个通道区；与通道区相邻地堆叠在基底上的多个栅电极层和多个绝缘层，每个栅电极层延伸不同的长度；以及与所述多个栅电极层的第一端相邻的多个虚设通道区，其中，基底包括形成在所述多个虚设通道区下方的基底绝缘层。
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公开(公告)号：CN110112137B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910417752.0
申请日：2016-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有虚设通道区的垂直存储装置，所述存储装置包括：第一基底；第二基底，位于第一基底上；栅电极层和绝缘层，堆叠在第二基底的上表面上；多个第一通道区和多个第二通道区，多个第一通道区位于第一子单元阵列区中，多个第二通道区位于第二子单元阵列区中，第一通道区和第二通道区中的每个在与第二基底的上表面垂直的第一方向上延伸以穿过栅电极层和绝缘层中的至少一些；以及分隔绝缘层，设置在第一子单元阵列区和第二子单元阵列区之间，分隔绝缘层在与第二基底的上表面平行的第二方向上延伸，其中，设置在分隔绝缘层的第一侧上的至少两个第一通道区和设置在分隔绝缘层的第二侧上的至少两个第二通道区是位线未连接到其上的虚设通道区。
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公开(公告)号：CN110112137A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910417752.0
申请日：2016-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556
Abstract: 提供了一种具有虚设通道区的垂直存储装置，所述存储装置包括：第一基底；第二基底，位于第一基底上；栅电极层和绝缘层，堆叠在第二基底的上表面上；多个第一通道区和多个第二通道区，多个第一通道区位于第一子单元阵列区中，多个第二通道区位于第二子单元阵列区中，第一通道区和第二通道区中的每个在与第二基底的上表面垂直的第一方向上延伸以穿过栅电极层和绝缘层中的至少一些；以及分隔绝缘层，设置在第一子单元阵列区和第二子单元阵列区之间，分隔绝缘层在与第二基底的上表面平行的第二方向上延伸，其中，设置在分隔绝缘层的第一侧上的至少两个第一通道区和设置在分隔绝缘层的第二侧上的至少两个第二通道区是位线未连接到其上的虚设通道区。
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