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公开(公告)号：CN101005095A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710001739.4
申请日：2007-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金是垠 , 白昇宰 , 霍宗亮 , 吕寅硕 , 林昇炫 , 韩祯希
IPC: H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/51 , H01L27/115
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：在源区和漏区之间限定的沟道区；在沟道区上设置以存储电荷的电荷存储膜；以及在沟道区和电荷存储膜之间插入的隧道绝缘膜，以隧穿电荷，该隧道绝缘膜具有量子密闭膜。
