公开(公告)号：CN101345209B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200810131102.1

申请日：2004-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在光 ,  李在东 ,  洪昌基

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09G1/16

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。

公开(公告)号：CN1637102A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410101122.6

申请日：2004-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在光 ,  李在东 ,  洪昌基

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。

公开(公告)号：CN100526409C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200410101122.6

申请日：2004-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在光 ,  李在东 ,  洪昌基

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt%的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。

公开(公告)号：CN101345209A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810131102.1

申请日：2004-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在光 ,  李在东 ,  洪昌基

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09G1/16

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。

公开(公告)号：CN1441017A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03103408.X

申请日：2003-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在东 ,  尹普彦 ,  韩镛弼

IPC: C09G1/02

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供了用于化学机械抛光(CMP)的浆料，包括高平面性浆料和高选择比浆料。高平面性浆料含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子和第一浓度的阴离子聚合物钝化剂。高选择比浆含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子；第二浓度的钝化剂，钝化剂的第二浓度比高平面性浆中钝化剂的第一浓度低；季胺及其盐之一；和pH调节剂。高选择比浆的pH在约高于抛光目标层的等电点至约低于抛光停止层的等电点的范围内。另外，还提供了使用具有高平面性和高选择比CMP浆料的CMP方法。

公开(公告)号：CN101577226A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910137129.6

申请日：2009-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  金伶厚 ,  洪昌基 ,  李根泽 ,  李在东 ,  严大弘 ,  韩政男

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L27/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法。绝缘层可以形成在具有接触区的目标体上。绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区的开口。包括硅和氧的材料层可以形成在暴露的接触区上。金属层可以形成在包括硅和氧的材料层上。包括硅和氧的材料层可以与金属层反应从而至少在接触区上形成金属氧硅化物层。导电层可以形成在金属氧硅化物层以填充开口。

公开(公告)号：CN1288722C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03103408.X

申请日：2003-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在东 ,  尹普彦 ,  韩镛弼

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  C09K3/14 ,  C09K13/00 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供了用于化学机械抛光(CMP)的浆料，包括高平面性浆料和高选择比浆料。高平面性浆料含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子和第一浓度的阴离子聚合物钝化剂。高选择比浆含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子；第二浓度的钝化剂，钝化剂的第二浓度比高平面性浆中钝化剂的第一浓度低；季胺及其盐之一；和pH调节剂。高选择比浆的pH在约高于抛光目标层的等电点至约低于抛光停止层的等电点的范围内。另外，还提供了使用具有高平面性和高选择比CMP浆料的CMP方法。

公开(公告)号：CN1825541A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005803.1

申请日：2006-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹世罗 ,  裵根熙 ,  洪昌基 ,  朴正宪 ,  李在东 ,  郑明浩 ,  具珠善 ,  朴俊相 ,  金荣玉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897

Abstract: 在一个方面，提供一种自－对准的接触方法，其中衬底具有在衬底表面上隔开的多个结构，以及在该多个结构上和该多个结构之间淀积牺牲膜，牺牲膜的材料具有给定的承受温度。牺牲膜被构图，以露出邻近多个结构的衬底部分。在牺牲膜和衬底的露出部分上淀积绝缘层，绝缘层的淀积包括在低于牺牲膜材料的承受温度的温度下的热处理。绝缘层被平整，以露出牺牲膜，和牺牲膜被除去，以露出多个结构之间的各个区域。多个结构之间的各个区域用导电材料填充。

公开(公告)号：CN1733856A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510084580.8

申请日：2005-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成俊 ,  朴正宪 ,  洪昌基 ,  李在东

IPC: C09G1/00 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种浆料、使用该浆料的化学机械抛光(CMP)方法以及使用该浆料形成金属布线的方法。该浆料可以包括抛光剂、氧化剂和保护金属膜的至少一种缺陷抑制剂。CMP方法和形成金属布线的方法可以采用具有包括至少一种缺陷抑制剂的至少一种浆料的一种或两种浆料。

公开(公告)号：CN1733856B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200510084580.8

申请日：2005-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成俊 ,  朴正宪 ,  洪昌基 ,  李在东

IPC: C09G1/00 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种浆料、使用该浆料的化学机械抛光(CMP)方法以及使用该浆料形成金属布线的方法。该浆料可以包括抛光剂、氧化剂和保护金属膜的至少一种缺陷抑制剂。CMP方法和形成金属布线的方法可以采用具有包括至少一种缺陷抑制剂的至少一种浆料的一种或两种浆料。