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公开(公告)号：CN110504264B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201910298285.4
申请日：2019-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和与第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于第一区域中，第一栅线包括第一下功函数层和布置在第一下功函数层上的第一上功函数层；以及，第二栅线，其位于第二区域中，并且包括第二下功函数层，第二栅线在水平的第一方向上的宽度等于或窄于第一栅线在第一方向上的宽度，其中，第一上功函数层的最上端和第二下功函数层的最上端相对于与第一方向垂直的第二方向各自位于比第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处。
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公开(公告)号：CN110690177A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910601851.4
申请日：2019-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括：第一晶体管，包括衬底上的第一栅堆叠；以及第二晶体管，包括衬底上的第二栅堆叠，其中第一栅堆叠包括设置在衬底上的第一铁电材料层、设置在第一铁电材料层上的第一功函数层和设置在第一功函数层上的第一上栅电极，其中第二栅堆叠包括设置在衬底上的第二铁电材料层、设置在第二铁电材料层上的第二功函数层和设置在第二功函数层上的第二上栅电极，其中第一功函数层包括与第二功函数层相同的材料，以及其中第一栅堆叠的有效功函数不同于第二栅堆叠的有效功函数。
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公开(公告)号：CN109979937A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811567096.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/49
Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上并具有彼此不同的阈值电压的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的每个包括栅极绝缘层、第一功函数金属层和第二功函数金属层。第一晶体管的第一功函数金属层可以包括第一子功函数层，第二晶体管的第一功函数金属层可以包括第二子功函数层，第三晶体管的第一功函数金属层可以包括第三子功函数层，第一子功函数层、第二子功函数层和第三子功函数层可以具有彼此不同的功函数。
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公开(公告)号：CN112310222A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010707043.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/40
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上或者位于所述衬底中的沟道；源极/漏极对，分别位于所述沟道的相对端；以及栅极结构，所述栅极结构在所述沟道上位于所述源极/漏极对之间，其中，所述栅极结构包括顺序地堆叠在所述沟道上的界面层、铁电层、稳定化层、氧扩散阻挡层和阈值电压控制层。
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公开(公告)号：CN112289862A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010710454.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/06 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置包括：第一有源图案，其位于衬底的第一区上；一对第一源极/漏极图案，其位于第一有源图案上；第一沟道图案，其位于所述一对第一源/漏图案之间；以及栅电极，其横跨第一沟道图案延伸。栅电极位于第一沟道图案的最上面的表面和至少一个侧壁上。栅电极包括：第一金属图案，其包括p型功函数金属；第二金属图案，其位于第一金属图案上，并且包括n型功函数金属；第一阻挡图案，其位于第二金属图案上，并且包括包含钨(W)、碳(C)和氮(N)的非晶态金属层；以及第二阻挡图案，其位于第一阻挡图案上。第二阻挡图案包括p型功函数金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111668308A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201911353670.0
申请日：2019-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：具有第一有源区和第二有源区的衬底；分别在第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案；分别延伸跨过第一有源图案和第二有源图案的第一栅电极和第二栅电极；以及在第一有源图案和第一栅电极之间以及在第二有源图案和第二栅电极之间的高k电介质层。第一栅电极包括功函数金属图案和电极图案。第二栅电极包括第一功函数金属图案、第二功函数金属图案和电极图案。第一功函数金属图案包含与高k电介质层的杂质相同的杂质。第二栅电极的第一功函数金属图案的杂质浓度大于第一栅电极的功函数金属图案的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN110504264A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910298285.4
申请日：2019-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/02 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和与第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于第一区域中，第一栅线包括第一下功函数层和布置在第一下功函数层上的第一上功函数层；以及，第二栅线，其位于第二区域中，并且包括第二下功函数层，第二栅线在水平的第一方向上的宽度等于或窄于第一栅线在第一方向上的宽度，其中，第一上功函数层的最上端和第二下功函数层的最上端相对于与第一方向垂直的第二方向各自位于比第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处。
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公开(公告)号：CN109979937B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201811567096.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/49
Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上并具有彼此不同的阈值电压的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的每个包括栅极绝缘层、第一功函数金属层和第二功函数金属层。第一晶体管的第一功函数金属层可以包括第一子功函数层，第二晶体管的第一功函数金属层可以包括第二子功函数层，第三晶体管的第一功函数金属层可以包括第三子功函数层，第一子功函数层、第二子功函数层和第三子功函数层可以具有彼此不同的功函数。
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