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公开(公告)号：CN103811554B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201310572089.4
申请日：2013-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案，横跨外围区的外围有源部分；平坦化的层间绝缘层，在衬底上处于外围栅极图案周围；以及覆盖绝缘层，在平坦化的层间绝缘层和外围栅极图案的顶表面上，覆盖绝缘层包括相对于平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN111048469A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911347524.7
申请日：2013-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案，横跨外围区的外围有源部分；平坦化的层间绝缘层，在衬底上处于外围栅极图案周围；以及覆盖绝缘层，在平坦化的层间绝缘层和外围栅极图案的顶表面上，覆盖绝缘层包括相对于平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN103779318B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310512143.6
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10888 , H01L29/4236
Abstract: 本公开提供包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法。每个半导体器件可以包括基板，该基板包括有源区，有源区包括第一和第二区域。每个半导体器件可以包括在有源区的第一和第二区域之间的器件隔离层。每个半导体器件可以包括分别由器件隔离层的凹陷部分和有源区的第一区域的凹陷部分限定的接触孔。而且，有源区的第一区域的最上表面可以限定接触孔的最下部分。
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公开(公告)号：CN102687594B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201080060254.2
申请日：2010-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B37/0272 , H05B33/0869 , H05B37/02 , H05B37/0218 , H05B37/0227 , H05B41/325
Abstract: 本发明公开了一种照明控制设备。根据本发明的一个实施例，可以容易地配置、维护和维修照明系统控制，这是因为通过无线通信无线地控制照明设备可以容易地提供额外的光和对照明设备的分块控制。此外，本发明可以通过根据预定场景在网关中存储与每个灯的地址相对应的控制信号来控制各个灯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119768970A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061852.9
申请日：2023-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开的各种实施例，电子装置可以包括：第一板；第二板，该第二板被设置成使得在其至少一部分与第一板之间形成有第一缝隙结构；非金属的第一内部构件，该非金属的第一内部构件联接到第一板和第二板，并且被设置成使得其至少一部分面向第一缝隙结构；以及第一天线图案，该第一天线图案设置在第一内部构件的面向与第一内部构件的该至少一部分相反的方向的不同部分上。各种其他实施例也是可能的。
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公开(公告)号：CN111048469B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911347524.7
申请日：2013-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案，横跨外围区的外围有源部分；平坦化的层间绝缘层，在衬底上处于外围栅极图案周围；以及覆盖绝缘层，在平坦化的层间绝缘层和外围栅极图案的顶表面上，覆盖绝缘层包括相对于平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN103811554A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310572089.4
申请日：2013-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案，横跨外围区的外围有源部分；平坦化的层间绝缘层，在衬底上处于外围栅极图案周围；以及覆盖绝缘层，在平坦化的层间绝缘层和外围栅极图案的顶表面上，覆盖绝缘层包括相对于平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN103779318A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310512143.6
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10888 , H01L29/4236
Abstract: 本公开提供包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法。每个半导体器件可以包括基板，该基板包括有源区，有源区包括第一和第二区域。每个半导体器件可以包括在有源区的第一和第二区域之间的器件隔离层。每个半导体器件可以包括分别由器件隔离层的凹陷部分和有源区的第一区域的凹陷部分限定的接触孔。而且，有源区的第一区域的最上表面可以限定接触孔的最下部分。
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公开(公告)号：CN116264771A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211597849.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括第一块区域和第二块区域；以及堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的绝缘膜和栅电极。竖直沟道结构、字线切割结构和块切割结构可以穿透堆叠结构。字线切割结构可以沿第二方向延伸。块切割结构可以沿第一方向延伸，连接到字线切割结构，并且限定第一块区域和第二块区域。块切割结构可以包括连接到字线切割结构的第一部分和连接到第一部分的第二部分。从平面的角度看，第一部分可以包括在第一方向上不与第二部分重叠的至少一部分和在第一方向上不与字线切割结构重叠的至少一个区域。
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