公开(公告)号：CN107359200A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710605943.0

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  郑宝哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。

公开(公告)号：CN105826384A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610028951.9

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  郑宝哲

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。

公开(公告)号：CN106601666B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201610893808.6

申请日：2016-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张锺光 ,  吴怜默 ,  安学润 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  成百民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。

公开(公告)号：CN106601666A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610893808.6

申请日：2016-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张锺光 ,  吴怜默 ,  安学润 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  成百民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L2029/7858 ,  H01L21/823475

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。

公开(公告)号：CN105990446B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201610151295.1

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  严命允

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括：位于衬底上的场绝缘膜；第一鳍式图案，其形成在衬底上，并且从场绝缘膜的上表面向上突出；以及栅电极，其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉。所述栅电极可包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧上并且包括栅电极的第一终端端部，所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧上。从衬底至所述第一部分的最下部的高度可以不同于从衬底至所述第二部分的最下部的高度。

公开(公告)号：CN107359200B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201710605943.0

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  郑宝哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。

公开(公告)号：CN105826384B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201610028951.9

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  郑宝哲

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。

公开(公告)号：CN105990446A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610151295.1

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  严命允

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7856

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括：位于衬底上的场绝缘膜；第一鳍式图案，其形成在衬底上，并且从场绝缘膜的上表面向上突出；以及栅电极，其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉。所述栅电极可包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧上并且包括栅电极的第一终端端部，所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧上。从衬底至所述第一部分的最下部的高度可以不同于从衬底至所述第二部分的最下部的高度。