公开(公告)号：CN113964126A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110796992.3

申请日：2021-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金衡辰 ,  金容峻 ,  金用勋 ,  安民守 ,  吴凛 ,  崔轸湧

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：单元区域，在所述单元区域中以阵列结构布置有多个存储单元；以及外围区域，在所述外围区域中布置有被配置为驱动所述多个存储单元的电路，并且所述外围区域紧邻所述单元区域。所述单元区域被分成多个存储体，并且所述多个存储体包括具有基本尺寸的第一存储体和尺寸为所述基本尺寸的1/(2*n)的第二存储体，其中，n是大于或等于1的整数。所述多个存储体布置在第一方向上和垂直于所述第一方向的第二方向上，并且所述半导体器件形成为在所述第二方向上伸长的矩形芯片。

公开(公告)号：CN109767799B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201811293640.0

申请日：2018-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔轸湧 ,  金尚玧 ,  张寿凤

IPC: G11C11/4091

Abstract: 提供了一种存储器电路和包括该存储器电路的存储器设备。存储器电路可以连接到位线和互补位线，并且被配置为对位线和互补位线执行预充电。该存储器电路可以包括：均衡器，被配置为响应于均衡信号通过将位线与互补位线连接来均衡位线和互补位线的电压电平；以及预充电器，被配置为响应于预充电信号将位线和互补位线预充电到预充电电压。均衡信号和预充电信号可以经由单独的线接收。

公开(公告)号：CN115729342A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210867629.0

申请日：2022-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东延 ,  朴泳宰 ,  金衡辰 ,  吴凛 ,  崔轸湧

IPC: G06F1/3234

Abstract: 提供了一种操作存储器件的方法及执行该方法的存储器件。在操作存储器件的方法中，接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令。基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔。响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。

公开(公告)号：CN109767799A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811293640.0

申请日：2018-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔轸湧 ,  金尚玧 ,  张寿凤

IPC: G11C11/4091

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C7/06 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  G11C2207/12

Abstract: 提供了一种存储器电路和包括该存储器电路的存储器设备。存储器电路可以连接到位线和互补位线，并且被配置为对位线和互补位线执行预充电。该存储器电路可以包括：均衡器，被配置为响应于均衡信号通过将位线与互补位线连接来均衡位线和互补位线的电压电平；以及预充电器，被配置为响应于预充电信号将位线和互补位线预充电到预充电电压。均衡信号和预充电信号可以经由单独的线接收。

公开(公告)号：CN109727631A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810722488.7

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔轸湧 ,  金经纶 ,  姜雄大 ,  尹炫喆

IPC: G11C29/02

Abstract: 一种存储设备，包括连接到第一位线、第一字线和第二字线的存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储单元连接在所述第一字线和第一位线之间，以及第二存储单元连接在第二字线和第一位线之间；第一字线驱动器，被配置为驱动所述第一字线；第二字线驱动器，被配置为驱动所述第二字线；以及测试管理器，被配置为驱动第二字线以改变第一位线的电容，并且在第一位线的电容改变之后，驱动第一字线以测试第一字线。